[发明专利]测试结构及其测试方法

权利要求书

1.一种测试结构，其特征在于，包括：

第一金属层，所述第一金属层中形成有第一导电路径和第二导电路径；

介质层，至少填充在所述第一导电路径和所述第二导电路径之间，用于当所述介质层暴露于含碱离子的环境时，碱离子扩散至所述介质层中；

钝化层，覆盖在所述第一金属层和所述介质层上；

第一接触垫和第二接触垫，分别连接所述第一导电路径和所述第二导电路径，用于对所述第一接触垫和所述第二接触垫施加电信号，并根据反馈回的反馈信号判断所述钝化层是否发生破裂。

2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一导电路径顺应所述第二导电路径并行设置，以构成测试电容；以及，所述反馈信号为所述测试电容的电容值，当所述电容值低于设定值时，则判断所述第一导电路径和所述第二导电路径之间的介质层中扩散有碱离子，进而判断所述钝化层破裂。

3.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一导电路径包括至少一个第一导电环，所述第二导电路径包括至少一个第二导电环，所述至少一个第一导电环和所述至少一个第二导电环同心设置，并且所述第一导电环和所述第二导电环交替排布。

4.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一导电路径包括至少一条第一导电线，所述第二导电路径包括至少一条第二导电线；

其中，所述第一导电线紧邻第二导电线并顺应所述第二导电线延伸设置；或者，所述第二导电线紧邻所述第一导电线并顺应所述第一导电线延伸设置。

5.如权利要求4所述的测试结构，其特征在于，所述第一导电线和所述第二导电线均具有弯折结构，并由弯折结构还界定出镂空区；

以及，所述第一导电线的弯折结构穿插至所述第二导电线的镂空区中；和/或，所述第二导电线的弯折结构穿插至所述第一导电线的镂空区中。

6.如权利要求5所述的测试结构，其特征在于，所述第一导电线和第二导电线的弯折结构的弯折角度为90°。

7.如权利要求4所述的测试结构，其特征在于，所述第一导电路径包括多条第一导电线，所述第二导电路径包括多条第二导电线，以及至少一条第一导电线和至少一条第二导电线组合构成一个测试区块，并由所述多条第一导电线和所述多条第二导电线组合构成多个测试区块。

8.如权利要求7所述的测试结构，其特征在于，所述多个测试区块中的其中两个区块沿着第一方向延伸，以及所述多个测试区块中的其他区块沿着第二方向延伸，并排布在所述其中两个区块之间。

9.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一导电路径包括至少一个第一导电环和至少一条第一导电线，所述第一导电线连接至所述第一导电环，所述第一导电环连接至所述第一接触垫；

以及，所述测试结构还包括第二金属层和多个接触插塞，所述第二金属层设置在所述第一金属层的下方，以及所述第二金属层中形成有第一连接线，所述第一导电线和所述第一导电环之间、所述第一导电环和所述第一接触垫之间均通过所述接触插塞和所述第一连接线相互连接。

10.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第二导电路径包括至少一个第二导电环和至少一条第二导电线，所述第二导电线连接至所述第二导电环，所述第二导电环连接至所述第二接触垫；

以及，所述测试结构还包括第二金属层和多个接触插塞，所述第二金属层设置在所述第一金属层的下方，以及所述第二金属层中形成有第二连接线，所述第二导电线和所述第二导电环之间、所述第二导电环和所述第二接触垫之间均通过所述接触插塞和所述第二连接线相互连接。

11.一种测试方法，其特征在于，包括：

提供如权利要求1-10任一项所述的测试结构；

将所述测试结构置于含碱离子的环境中；以及，

对所述测试结构中的所述第一接触垫和所述第二接触垫施加电信号，并根据反馈回的反馈信号判断测试结构中的钝化层是否发生破裂。