[发明专利]具有可再生性能的静电卡盘及其成型方法在审
申请号: | 202011106884.0 | 申请日: | 2020-10-16 |
公开(公告)号: | CN112018021A | 公开(公告)日: | 2020-12-01 |
发明(设计)人: | 杨冬野;袁蕾 | 申请(专利权)人: | 苏州芯慧联半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 215000 江苏省苏州市常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 再生 性能 静电 卡盘 及其 成型 方法 | ||
1.具有可再生性能的静电卡盘,其特征在于:包括底座、设于底座顶部的绝缘层、设于绝缘层顶部的介电层、夹持内嵌设于绝缘层和介电层之间的电极层、以及设于介电层表面的由类金刚石薄膜制成的若干凸台;若干凸台沿介电层圆心呈数个不同直径环绕的圆形间断分布,介电层表面设有若干沿其不同直径方向分布的冷却槽,若干凸台的表面架置设有晶圆基板;
所述介电层表面位于最外圈凸台位置的外周设有环绕闭合的外环凸部;
所述介电层表面设有缓冲层,缓冲层表面形成类金刚石薄膜。
2.根据权利要求1所述的具有可再生性能的静电卡盘,其特征在于:所述冷却槽呈十字交叉分布于介电层表面,冷却槽内充入冷却介质。
3.根据权利要求2所述的具有可再生性能的静电卡盘,其特征在于:所述冷却槽的两端置于外环凸部内部。
4.根据权利要求3所述的具有可再生性能的静电卡盘,其特征在于:所述凸台和外环凸部硬度达到800HV以上,其与晶圆基板之间摩擦系数在0.05-0.2。
5.根据权利要求3所述的具有可再生性能的静电卡盘,其特征在于:所述外环凸部和凸台的高度范围为4-6μm,外环凸部的宽度为0.6-0.8mm,凸台与晶圆基板接触直径为0.6-0.8mm。
6.根据权利要求1所述的具有可再生性能的静电卡盘,其特征在于:同一圆周上所述凸台间距或同一径向相邻圆周上凸台间距在0.5-1.5mm。
7.具有可再生性能的静电卡盘成型方法,其特征在于,包括以下步骤:
分为两种成型再生方式,I):
1)静电卡盘表面介电层进行表面清洁处理;
2)打磨,控制静电卡盘的表面粗糙度在0.3-0.5μm;
3)喷涂,包括以下两种喷涂方式,i)首先在介电层表面喷涂,形成1-2μm的缓冲层,接下来将类金刚石粉喷涂在缓冲层表面形成类金刚石薄膜,类金刚石薄膜的厚度在4-6μm之间;或ii)直接将类金刚石粉喷涂在介电层表面形成类金刚石薄膜;
4)标记,标记成型厚度为0.1-1mm的干膜抗蚀层,在类金刚石薄膜上表面形成印花;
5)喷砂,去除印花位置以外的类金刚石薄膜,成型凸台和外环凸部;
6)清洗,完全清除残留标记膜;
II):
1)静电卡盘表面介电层进行表面清洁处理;
2)打磨,控制静电卡盘的表面粗糙度在0.3-0.5μm;
3)标记,标记成型厚度为0.1-1mm的干膜抗蚀层,在介电层上表面形成印花;
4)喷涂,包括以下两种喷涂方式,i)首先在介电层和标记膜表面喷涂,形成1-2μm的缓冲层,接下来将类金刚石粉喷涂在缓冲层表面形成类金刚石薄膜,类金刚石薄膜的厚度在4-6μm之间;或ii)直接将类金刚石粉喷涂在介电层和标记膜表面形成类金刚石薄膜;
5)清洗,清除残留标记膜,凸台和外环凸部外露显出。
8.根据权利要求7所述的具有可再生性能的静电卡盘成型方法,其特征在于:所述表面清洁处理采用5%浓度的过氧化氢溶液或氢氧化铵溶液。
9.根据权利要求7所述的具有可再生性能的静电卡盘成型方法,其特征在于:所述标记的步骤包括涂胶、曝光、显影、烘干、刻蚀形成印花。
10.根据权利要求7所述的具有可再生性能的静电卡盘成型方法,其特征在于:所述喷砂的步骤采用重力落料式多次喷砂,空气压力为0.5MPa,采用碳化硅或金刚砂,砂子目数为800-1200目。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造