[发明专利]氧化铟锗锌的原子层沉积

权利要求书

1.一种用于在晶体管装置中形成氧化铟锗锌(IGeZO)通道层的原子层沉积(ALD)方法，所述ALD方法包括沉积循环，所述沉积循环包括使衬底在反应空间中与气相铟前体、气相锗前体、气相锌前体和氧反应物交替且依次接触，并且重复所述沉积循环直至形成具有所需厚度的IGeZO薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积循环另外包括使所述衬底与包括NH₃、N₂O、NO₂和H₂O₂中的一种或多种的另外的反应物接触。

3.根据权利要求2所述的方法，其中使所述衬底与所述氧反应物和所述另外的反应物同时接触。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述Ge前体包括至少一种胺或烷基胺配体。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述锌前体包括元素Zn、卤化锌和烷基锌化合物中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述铟前体包括三甲基铟、In(acac)、InCp和卤化铟中的一种或多种。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的方法，其中所述铟前体是三甲基铟，所述锌前体是二乙基锌，并且所述锗前体是TDMAGe。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述沉积循环在250℃或更低的沉积温度下进行。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中在所述沉积循环中，将所述衬底在与所述铟、锌和锗前体接触之后与所述氧反应物接触。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积循环包括氧化铟锌子循环和氧化锗锌子循环，并且所述IGeZO膜包括氧化铟锌和氧化锗锌的混合物。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积循环重复N1次并且包括重复N2次的氧化锌子循环，所述氧化锌子循环包括使所述衬底与所述锌前体和所述氧反应物交替且依次接触；重复N3次的氧化铟子循环，所述氧化铟子循环包括使所述衬底与所述铟前体和所述氧反应物交替且依次接触；以及重复N4次的氧化锗子循环，所述氧化锗子循环包括使所述衬底与所述锗前体和所述氧反应物交替且依次接触，其中N是整数。

12.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述沉积循环重复N1次并且包括氧化铟锌子循环，所述氧化铟锌子循环重复N2次并且包括使所述衬底与所述锌前体、所述铟前体和所述氧反应物交替且依次接触；以及氧化锗子循环，所述氧化锗子循环重复N3次并且包括使所述衬底与所述锗前体和所述氧反应物交替且依次接触，其中N是整数。

13.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述沉积循环重复N1次并且包括氧化锌锗子循环，所述氧化锌锗子循环重复N2次并且包括使所述衬底与所述锌前体、所述锗前体和所述氧反应物交替且依次接触；以及氧化铟子循环，所述氧化铟子循环重复N3次并且包括使所述衬底与所述铟前体和所述氧反应物交替且依次接触，其中N是整数。

14.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述沉积循环重复N1次并且包括氧化锌子循环，所述氧化锌子循环重复N2次并且包括使所述衬底与所述锌前体和所述氧反应物交替且依次接触；以及氧化铟锗子循环，所述氧化铟锗子循环重复N3次并且包括使所述衬底与所述铟前体和所述锗前体和所述氧反应物交替且依次接触，其中N是整数。

15.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述沉积循环重复N1次并且包括重复N2次的氧化铟锌(IZO)子循环和重复N3次的氧化铟锗(IGeZO)子循环，其中N是整数。