[发明专利]肖特基二极管制备方法及肖特基二极管

权利要求书

1.一种肖特基二极管制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

处理GaN样板，获取GaN样品；

在所述GaN样品表面旋涂光刻胶，并对其进行刻蚀；

在刻蚀后的GaN样品表面PECVD沉积二氧化硅，并对其进行光刻、RIE刻蚀；

对刻蚀后的GaN样品进行硼离子注入；

在硼离子注入后的GaN样品表面沉积二氧化硅层，并对二氧化硅层进行刻蚀，形成场板结构；

在场板结构表面蒸镀Ni/Au金属结构，作为肖特基二极管的阳极；

在GaN样品背侧蒸镀Ti/Al/Ti/Au金属结构，作为肖特基二极管的阴极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，处理GaN样板，包括：

依次采用有机清洗和无机清洗对所述GaN样板进行清洗；

所述有机清洗是将GaN样板放置在丙酮和异丙醇溶液中超声清洗，分别超声清洗5min并用去离子水冲洗干净，N₂吹干；

所述无机清洗是将GaN样板放置在浓盐酸：水＝1:1的混合溶液中浸泡10min，去除表面氧化层。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述GaN样品表面旋涂光刻胶，并对其进行刻蚀过程中，旋涂的转速为4000rad/s-4500rad/s，旋涂时间为30s-35s，其曝光时间为6s-6.5s，刻蚀采用ICP刻蚀。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在对刻蚀后的GaN样品进行硼离子注入之前，还包括：

在所述GaN样品表面沉积二氧化硅，并对其进行涂胶和RIE刻蚀。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在对刻蚀后的GaN样品进行硼离子注入之后，还包括：

对硼离子注入之后的GaN样品进行清洗，然后采用快速热退火对其进行退火，对离子注入后的GaN样品进行450℃氮气气氛下快速热退火处理，处理时间为10min。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在场板结构表面蒸镀Ni/Au金属结构之后还包括：将多余的金属进行剥离。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硼离子注入的注入能量为40keV-45keV，注入剂量为0.4×10¹³at/cm²-0.5×10¹³at/cm²。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述二氧化硅层的刻蚀是利用NH₄F：HF＝7:1的混合溶液其进行选择性刻蚀，刻蚀时间为40s-45s。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度为100nm-200nm。

10.一种肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基二极管采用如权利要求1-9任一项所述的制备方法制备而成。