[发明专利]基于柔性的氧化镓/氮化镓结构的光电探测器及制备方法

权利要求书

1.一种基于柔性的氧化镓/氮化镓结构的光电探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）清洗柔性衬底；

2）采用MOCVD工艺外延生长获得p-GaN层和GaN层：通过MOCVD工艺在蓝宝石衬底上依次外延生长GaN缓冲层、重掺杂n-GaN层和的Mg掺杂P型GaN层得到p-GaN层，继续外延生长的GaN层；

3）采用MOCVD工艺在步骤2）的GaN层上外延生长Si掺杂的n型β-Ga₂O₃层；

4）在n型β-Ga₂O₃层上沉积一层SiO₂层，再涂上光刻胶，刻蚀、去胶，得到SiO₂正方形阵列；

5）之后继续刻蚀n型β-Ga₂O₃层形成微纳倒梯形结构，除去SiO₂掩膜层，则获得表面带有微纳倒梯形结构的n型β-Ga₂O₃层；

6）将步骤5）得到的外延生长结构刻蚀除去生长衬底，转移到步骤1）的柔性衬底上，并在柔性衬底和n型β-Ga₂O₃层的未刻蚀部分沉积电极。

2.由权利要求1所述的光电探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤4）的具体操作包括在n型β-Ga₂O₃层上沉积一层SiO₂层，再涂上一层光刻胶，曝光后，用BOE溶液将SiO₂掩膜层刻蚀，然后去胶，得到SiO₂正方形阵列。

3.由权利要求1所述的光电探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤6）的具体操作包括通过电化学剥离法将重掺杂n-GaN刻蚀进行腐蚀，然后将其外延生长结构转移到步骤1）清洗后的柔性衬底PET上，分别在柔性衬底PET和n型β-Ga₂O₃层的未刻蚀部分上沉积Ti/Au电极。