[发明专利]一种可提高薄膜体声波谐振器品质因子Q值的结构

权利要求书

1.一种可提高薄膜体声波谐振器品质因子Q值的结构，其特征在于，包括衬底、终止层、压电振荡堆、第一空腔、第二空腔；所述的压电振荡堆包括下电极、压电层和上电极，所述的第一空腔设于所述衬底表面，所述的终止层位于衬底与压电振荡堆的下电极之间，第二空腔设于终止层与压电振荡堆之间，所述第一空腔与第二空腔由终止层隔开；所述第二空腔的宽度与第二空腔距第一空腔边缘的最短距离相等。

2.根据权利要求1所述的可提高薄膜体声波谐振器品质因子Q值的结构，其特征在于，在所述下电极与压电层之间围绕第二空腔还设置有第三空腔。

3.根据权利要求2所述的可提高薄膜体声波谐振器品质因子Q值的结构，其特征在于，所述的第三空腔中填满下电极材料，使得其所处位置处下电极的厚度大于其他位置的下电极厚度。

4.根据权利要求1所述的可提高薄膜体声波谐振器品质因子Q值的结构，其特征在于，将所述第二空腔正上方的下电极材料减薄，使得其所处位置处下电极的厚度小于其他位置的下电极厚度。

5.一种可提高薄膜体声波谐振器品质因子Q值的结构，其特征在于，包括衬底、压电振荡堆、第一空腔、第二空腔；所述的压电振荡堆包括下电极、压电层和上电极，所述的第一空腔设于所述衬底表面，所述第二空腔位于第一空腔外围且设于衬底与压电震荡堆之间，且所述结构中还设置有隔断腔使得在所述第二空腔上方仅存在部分压电震荡堆，即压电振荡堆在第二空腔上方形成悬空结构。

6.根据权利要求1-5任一项所述的可提高薄膜体声波谐振器品质因子Q值的结构，其特征在于，所述薄膜体声波谐振器为空腔型FBAR，所述的第一空腔通过释放牺牲层形成；或者所述的薄膜体声波谐振器为布拉格反射层结构的FBAR，在所述的第一空腔填满布拉格反射层结构。

7.根据权利要求1-5任一项所述的可提高薄膜体声波谐振器品质因子Q值的结构，其特征在于，所述第二空腔通过释放牺牲层得到，第二空腔的截面为梯型、三角形、长方形、正方形中的任一种或多种任意组合。