[发明专利]位线驱动装置及其制造方法、3D存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种位线驱动装置，包括半导体层以及基于所述半导体层形成的多个半导体器件，至少一个所述半导体器件包括：

栅介质层，位于所述半导体层表面；

栅极导体，位于所述栅介质层上；

第一掺杂区，在所述半导体层中掺杂形成的，并位于所述栅极导体的一侧；

漏区，是在所述半导体层中的所述第一掺杂区中再掺杂形成的；

源区，位于所述半导体层中，并位于所述栅极导体的另一侧；以及

第二掺杂区，位于所述栅极导体与所述漏区之间，至少部分是在所述半导体层中的所述第一掺杂区中再掺杂形成的，

其中，所述半导体层为第一掺杂类型，所述源区、所述漏区、所述第一掺杂区以及所述第二掺杂区的为第二掺杂类型，所述第一掺杂类型与所述第二掺杂类型相反，

所述第二掺杂区与所述第一掺杂区中靠近所述栅极导体的边缘区域接触。

2.根据权利要求1所述的位线驱动装置，其中，所述第一掺杂区的掺杂浓度小于所述漏区与所述第一掺杂区的叠加掺杂浓度，

所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的叠加掺杂浓度高于所述第一掺杂区的掺杂浓度。

3.根据权利要求2所述的位线驱动装置，还包括隔离结构，位于所述半导体层中，并围绕每个所述半导体器件，相邻的所述半导体器件被所述隔离结构分隔。

4.根据权利要求3所述的位线驱动装置，其中，所述第二掺杂区与所述漏区分隔。

5.根据权利要求3或4所述的位线驱动装置，其中，所述第二掺杂区的结深小于所述第一掺杂区的结深。

6.根据权利要求5所述的位线驱动装置，其中，沿第一方向，多个所述半导体器件平行排布，

所述第一方向垂直于所述半导体层的厚度方向，并且还垂直于每个所述半导体器件的所述漏区至所述源区的延伸方向。

7.一种3D存储器件，包括如权利要求1至6任一项所述的位线驱动装置。

8.一种位线驱动装置的制造方法，包括基于半导体层形成多个半导体器件，形成至少一个所述半导体器件的步骤包括：

在所述半导体层表面形成栅介质层；

在所述栅介质层上形成栅极导体；

在所述半导体层中掺杂第一掺杂区，所述第一掺杂区位于所述栅极导体的一侧；

在所述半导体层中的所述第一掺杂区中再掺杂以形成漏区；

在所述半导体层中形成源区，所述源区位于所述栅极导体的另一侧；以及

在所述栅极导体与所述漏区之间形成第二掺杂区，至少部分所述第二掺杂区是在所述半导体层中的所述第一掺杂区中再掺杂形成的，

其中，所述半导体层为第一掺杂类型，所述源区、所述漏区、所述第一掺杂区以及所述第二掺杂区为第二掺杂类型，所述第一掺杂类型与所述第二掺杂类型相反，

所述第二掺杂区与所述第一掺杂区中靠近所述栅极导体的边缘区域接触。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其中，所述第一掺杂区的掺杂浓度小于所述漏区与所述第一掺杂区的叠加掺杂浓度，

所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的叠加掺杂浓度高于所述第一掺杂区的掺杂浓度。

10.根据权利要求9所述的制造方法，还包括在所述半导体层中形成隔离结构，所述隔离结构围绕每个所述半导体器件，相邻的所述半导体器件被所述隔离结构分隔。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其中，所述第二掺杂区与所述漏区分隔。

12.根据权利要求9或10所述的制造方法，其中，所述第二掺杂区的结深小于所述第一掺杂区的结深。