[发明专利]一种三维3D存储器件以及用于操作三维3D存储器件上的数据处理单元的系统及方法

权利要求书

1.一种三维3D存储器件，包括：

3D NAND存储阵列；

管芯上数据处理电路，在同一芯片上耦合到所述3D NAND存储阵列，其中所述管芯上数据处理电路被配置为：

从输入/输出I/O接口接收用于对存储在所述3D NAND存储阵列中的数据执行操作的控制指令；

基于所述控制指令从所述3D NAND存储阵列提取所述数据；

对所提取的数据执行所述操作；和

将所述操作的结果返回给所述I/O接口，

其中，所述控制指令是由主机发送的，所述主机是一个或多个处理器；和

外围电路，被配置为执行所述3D存储器件的数据存储操作，所述外围电路和所述管芯上数据处理电路占据所述3D存储器件的非重叠空间。

2.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中：

所述3D NAND存储阵列包括多个页；和

所述管芯上数据处理电路被配置为以页为单位从所述3D NAND存储阵列提取数据。

3.根据权利要求2所述的3D存储器件，其中所述管芯上数据处理电路被配置为对同时从多个页中提取到的数据执行所述操作。

4.根据权利要求2所述的3D存储器件，其中所述管芯上数据处理电路被配置为对按顺序从多个页中提取到的数据执行所述操作。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的3D存储器件，其中所述管芯上数据处理电路被编程为基于存储在所述3D NAND存储阵列中的程序代码来执行所述操作。

6.根据权利要求1至4中任意一项所述的3D存储器件，还包括：

控制器，被配置为对所提取的数据执行错误检查和纠错ECC。

7.根据权利要求1至4中任意一项所述的3D存储器件，其中所述3D存储器件被封装在嵌入式多媒体存储卡eMMC或通用闪存存储UFS中的至少一个中。

8.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中所述管芯上数据处理电路包括现场可编程门阵列FPGA、微控制器单元MCU或专用集成电路ASIC中的至少一个。

9.一种用于操作三维3D存储器件上的数据处理单元的系统，包括：

主机，其中，所述主机是一个或多个处理器；

存储单元，具有多个NAND存储单元并且被耦合到所述主机；

其中将所述数据处理单元被耦合到同一芯片上的所述存储单元，所述数据处理单元被配置为：

从所述主机接收用于对存储在所述NAND存储单元中的数据执行操作的控制指令；

基于所述控制指令从所述NAND存储单元提取所述数据；

对所提取的数据执行所述操作；和

将所述操作的结果返回到所述主机；和

外围电路，被配置为执行所述存储单元的数据存储操作，所述外围电路和所述数据处理单元占据所述存储单元的非重叠空间。

10.根据权利要求9所述的系统，其中：

所述NAND存储单元被排列成多页；和

所述数据处理单元被配置为以页为单位从所述NAND存储单元提取所述数据。

11.根据权利要求10所述的系统，其中所述数据处理单元被配置为对同时从多个页中提取到的数据执行所述操作。

12.根据权利要求11所述的系统，其中所述数据处理单元被配置为对按顺序从多个页中提取的数据执行所述操作。

13.根据权利要求9至12中任意一项所述的系统，其中所述数据处理单元被编程为基于存储在所述NAND存储单元中的程序代码来执行所述操作。

14.根据权利要求9至12中任意一项所述的系统，还包括：

控制器，被配置为对所提取的数据执行错误检查和纠错ECC。