[发明专利]近红外超宽带完美反射与隧穿透射的全介质超材料

权利要求书

1.近红外超宽带完美反射与隧穿透射的全介质超材料，其特征在于，所述全介质超材料包括：

基底层(1)、下层四分之一波长多叠层、中间连接层(4)、上层介质光栅(5)；

所述基底层(1)、所述下层四分之一波长多叠层和所述中间连接层(4)为自下而上复合固定分层形成；

所述上层介质光栅(5)呈周期性均匀分布在所述中间连接层(4)上方；

所述下层四分之一波长多叠层由下层四分之一波长多叠层由高折射率介质硅(2)和低折射率介质氟化镁(3)互相穿插平行设置。

2.根据权利要求1所述近红外超宽带完美反射与隧穿透射的全介质超材料，其特征在于，所述基底层(1)的材料为二氧化硅，所述中间连接层(4)的材料为二氧化硅，所述上层介质光栅(5)的材料为硅，所述高折射率介质硅(2)的材料为硅，所述低折射率介质氟化镁(3)的材料为氟化镁。

3.根据权利要求2所述近红外超宽带完美反射与隧穿透射的全介质超材料，其特征在于，在近红外光波段范围内，所述二氧化硅的折射率为1.465，所述氟化镁的折射率为1.42，所述硅的折射率为3.53。

4.根据权利要求1所述的近红外超宽带完美反射与隧穿透射的全介质超材料的分子检测方法，其特征在于，所述超材料单元结构由以下参数定义：所述基底层(1)的厚度为t1；所述下层四分之一波长多叠层中氟化镁的厚度为t2，硅的厚度为t3，所述中间连接层(4)的厚度为t4，所述上层介质光栅(5)的亚层厚度为d1，所述上层介质光栅(5)的深度为d2，所述上层介质光栅(5)的周期为p，所述上层介质光栅(5)的占空比为f。

5.如权利要求4所述近红外超宽带完美反射与隧穿透射的全介质超材料的分子检测方法，其特征在于，厚度t1为230nm，厚度t2为225.4nm，厚度t3为90.65nm，厚度t4的范围为10～300nm，厚度d1为354nm，深度d2为576nm，周期p为858nm，占空比f为0.6。