[发明专利]在SAR量化器中嵌入ELD DAC的方法在审

专利信息
申请号: 202011111526.9 申请日: 2020-10-16
公开(公告)号: CN112671409A 公开(公告)日: 2021-04-16
发明(设计)人: A·班德约帕得哈;志方明;K·A·欧多诺霍 申请(专利权)人: 亚德诺半导体国际无限责任公司
主分类号: H03M1/38 分类号: H03M1/38
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 刘倜
地址: 爱尔兰*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: sar 量化 嵌入 eld dac 方法
【说明书】:

本公开涉及在SAR量化器中嵌入ELD DAC的方法。所描述的方法和设备用于通过使用ELD DAC和DAC中DAC控制单元来控制逐次逼近寄存器(SAR)模数转换器(ADC)的数模转换器(DAC)中的过大环路延迟(ELD)增益补偿以用于SAR ADC高效。ELD DAC和DAC部分共享DAC单元(例如电容器或电流源),以最小化用于限制面积和功耗的DAC单元总数,同时保持操作灵活性。不同的配置提供的ELD增益小于或大于1。还提供了专用的采样电容器,以允许通过电容比率灵活地控制增益。

技术领域

该文献通常但不限于集成电路,特别是涉及模数转换器(ADC)电路。

背景技术

模数转换器(ADC)电路可以用于将模拟信号转换为数字信号,然后可以对其进行进一步处理或在数字域中使用。连续时间(CT)Δ∑(DS)ADC擅长精度和低功耗应用,并使用逐次逼近寄存器(SAR)ADC作为量化器来降低功耗。SAR ADC电路可以执行位测试,以将模拟信号的各个部分与参考电压进行比较,以确定代表模拟信号特定样本的数字字的数字位值。SAR ADC可以使用数模转换器(DAC)的电容器阵列来执行位试验,以确定数字字的各个数字位值。SAR ADC是理想的,因为它们需要低功耗。但是,转换的连续特性意味着转换相对较慢,除SAR ADC的DAC之外,还普遍使用了多余的环路延迟(ELD)DAC来补偿SAR转换引入的延迟。

发明内容

本文件描述模数转换器(ADC)电路,尤其是改进的数模转换器(DAC),包括在逐次逼近寄存器(SAR)量化器中使用的嵌入式过剩环路延迟(ELD)DAC,依次在连续时间(CT)Δ-Σ(CTDS)ADC等ADC中使用。

SAR ADC通过依次将采样的输入信号与不同的参考电平进行比较,将输入信号转换为数字代码。在示例实施例中,输入信号可以在电荷域、电压域、电流域中,或者在多域配置中。当将SAR ADC用于CTDS ADC时,SAR量化器中ELD DAC的增益是Δ-Σ环路稳定性的关键因素。本文档介绍了一些方法和设备,这些方法和设备可改善(无需任何参考电压调整)SAR ADC中电容器之类的DAC单元的使用,以节省功耗、面积,当电容器用作DAC单元时,还可节省负载电容。DAC单元还可以包括电流源、电压源等。

在采样实施方案中,描述了用于通过有效地使用诸如ELD DAC中的电容器和SARADC的DAC之类的DAC单元来控制过量环路延迟补偿DAC(ELD DAC)增益的方法和设备。在示例实施例中,计算通过DAC增益归一化的用于控制ELD增益的反馈值,并且提供专用采样电容器以允许通过电容比来调节增益。此外,SAR ADC的ELD DAC和DAC设计为部分共享DAC单元,以最小化SAR量化器中使用的DAC单元总数,同时保持操作灵活性。

根据第一方面,提供了一种SAR ADC的DAC,其包括嵌入式ELD DAC。DAC接收SAR控制信号并生成参考电平,ELD DAC接收ELD反馈信号,该信号在输入模拟信号采样期间提供ELD反馈。DAC和嵌入式ELD DAC的特征在于第一组DAC单元和第二组DAC单元,其中在第一组和第二组DAC单元之间共享一个或多个但少于全部的DAC单元。在操作期间,第一和第二组DAC单元中的一个在位试验阶段期间接收SAR控制信号,并且第一和第二组DAC单元中的另一组在采样阶段期间接收ELD反馈信号。

在采样实施方案中,DAC单元用于设置DAC的增益和通过DAC的增益归一化的ELDDAC的增益。在示例配置中,第一组DAC单元的值与2N相关,其中对于n位SAR ADC的各个DAC单元,其中N=0至N=n-1或N=0至N=n-2,第二组DAC单元的值分别与2N相关,其中N=-x至N=n-x-1或N=-x+1至N=n-x-1,其中n-x DAC单元在第一和第二组DAC单元之间共享。在操作过程中,第一组DAC单元接收SAR控制信号,第二组DAC单元接收ELD增益小于1的ELD反馈信号,而第一组DAC单元接收ELD反馈信号,第二组DAC单元接收SAR控制信号以获得大于1的ELD增益。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于亚德诺半导体国际无限责任公司,未经亚德诺半导体国际无限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011111526.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top