[发明专利]用于抛光铜膜的CMP浆料组合物和用其抛光铜膜的方法

权利要求书

1.一种用于铜膜的化学机械抛光浆料组合物，包括：

自极性溶剂和非极性溶剂当中选出的至少一溶剂；以及

硅烷改性的抛光颗粒，

所述硅烷由式1表示：

[式1]

在式1中，

R¹、R²以及R³各自独立地为羟基、取代或未取代的烷氧基，或卤素；

R⁴是取代或未取代的二价有机基团；

X¹和X²各自独立地为氢、-(C＝O)O^-M⁺、含有至少一个-(C＝O)O^-M⁺的取代或未取代的脂族烃基、含有至少一个-(C＝O)O^-M⁺的取代或未取代的芳族烃基、不含-(C＝O)O^-M⁺的取代或未取代的脂族烃基，或不含-(C＝O)O^-M⁺的取代或未取代的芳族烃基，

M⁺是H⁺或碱金属的一价阳离子，

X¹和X²中的至少一个是-(C＝O)O^-M⁺、含有至少一个-(C＝O)O^-M⁺的取代或未取代的脂族烃基，或含有至少一个-(C＝O)O^-M⁺的取代或未取代的芳族烃基。

2.根据权利要求1所述的用于铜膜的化学机械抛光浆料组合物，其中R⁴是取代或未取代的C₁到C₁₀亚烷基，且X¹和X²中的至少一个是含有至少一个-(C＝O)O^-M⁺的取代或未取代的脂族烃基。

3.根据权利要求1所述的用于铜膜的化学机械抛光浆料组合物，其中由式1表示的所述硅烷包括自由式1-1到式1-4表示的化合物当中选出的至少一种化合物：

[式1-1]

(OC₂H₅)₃Si-CH₂CH₂CH₂-NH(CH₂-C(＝O)O^-M⁺)；

[式1-2]

(OH)₃Si-CH₂CH₂CH₂-NH(CH₂-C(＝O)O^-M⁺)；

[式1-3]

(OCH₃)₃Si-CH₂CH₂CH₂-N(CH₂-C(＝O)O^-M⁺)₂；以及

[式1-4]

Cl₃Si-CH₂CH₂CH₂-N(CH₂-C(＝O)O^-M⁺)₂，

在式1-1到式1-4中，M⁺与式1中定义的相同。

4.根据权利要求1所述的用于铜膜的化学机械抛光浆料组合物，其中所述抛光颗粒包括二氧化硅。

5.根据权利要求1所述的用于铜膜的化学机械抛光浆料组合物，其中由式1表示的所述硅烷改性的所述抛光颗粒以0.001重量％到20重量％的量存在于所述化学机械抛光浆料组合物中。