[发明专利]太阳电池及生产方法、电池组件

权利要求书

1.一种太阳电池，其特征在于，包括：

硅基底；

以及电极接触结构，位于所述硅基底上；

所述电极接触结构包括：界面钝化层、低功函数金属层、以及金属电极；

在所述电极接触结构中，所述界面钝化层靠近所述硅基底设置；所述低功函数金属层层叠在所述界面钝化层上，所述金属电极设置在所述低功函数金属层上；

所述界面钝化层的材料包括金属氧化物；所述界面钝化层具有电子选择性；

所述金属氧化物中含有第一金属，所述低功函数金属层中含有第二金属，所述第二金属的活动性大于所述第一金属的活动性；

其中，所述电极接触结构还包括：位于所述界面钝化层和所述低功函数金属层之间的隧穿层，所述隧穿层的材料选自：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅或非晶硅的至少一种；

其中，所述界面钝化层的材料选自氧化铌、氧化钽、氧化镓、氧化锌、氧化铯中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述界面钝化层的厚度为1nm-20nm。

3.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述第二金属选自钙、镁、钡、铯、锶、钇、铈、钐、铕、钕、钍、钆、铪、镥、镧或钛中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述界面钝化层覆盖所述硅基底的整个表面；

或，所述界面钝化层覆盖所述硅基底的部分表面；

所述表面为所述硅基底的向光面或背光面。

5.根据权利要求4所述的太阳电池，其特征在于，所述硅基底的部分表面的面积，占所述硅基底的整个表面的面积的比例小于或等于10％；

在所述界面钝化层覆盖所述硅基底的整个表面的情况下，所述界面钝化层的厚度为5nm-20nm；

在所述界面钝化层覆盖所述硅基底的部分表面的情况下，所述界面钝化层的厚度为1nm-10nm。

6.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述隧穿层的厚度为0.5nm-3nm。

7.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述太阳电池还包括：位于所述硅基底和所述界面钝化层之间的第一钝化层；所述第一钝化层的材料选自氧化硅、氧化钛、氧化铝、氢化非晶硅中的至少一种；所述第一钝化层的厚度为1nm-2nm。

8.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述太阳电池还包括空穴选择层；

所述空穴选择层和所述界面钝化层，分别位于所述硅基底的向光面和背光面；

或，所述界面钝化层和所述空穴选择层，分别位于所述硅基底的背光面的第一区域和第二区域。

9.一种太阳电池的生产方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供硅基底；

在所述硅基底上设置界面钝化层；所述界面钝化层的材料包括金属氧化物；所述金属氧化物中含有第一金属；所述界面钝化层具有电子选择性；

在所述界面钝化层上设置低功函数金属层；所述低功函数金属层中含有第二金属，所述第二金属的活动性大于所述第一金属的活动性；

在所述低功函数金属层上设置金属电极，得到电池前体；

对所述电池前体退火，所述界面钝化层、所述低功函数金属层、所述金属电极在退火过程中，形成电极接触结构；

其中，所述太阳电池的生产方法还包括：

在所述界面钝化层与所述低功函数金属层之间设置隧穿层，所述隧穿层的材料选自：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅或非晶硅的至少一种；

其中，所述界面钝化层的材料选自氧化铌、氧化钽、氧化镓、氧化锌、氧化铯中的至少一种。

10.一种电池组件，其特征在于，包括：权利要求1-8中任一所述的太阳电池。