[发明专利]具有自闭合磁路的磁结构

权利要求书

1.一种结构，包括：

由多个第一金属块形成的第一金属迹线，所述多个第一金属块中的每个包括在第一上层中形成的上部、在第一下层中形成的下部以及在所述第一上层和所述第一下层之间形成的多个第一互连，其中所述多个第一金属块形成具有第一环形形状的第一磁通路径。

2.根据权利要求1所述的结构，还包括：

由多个第二金属块形成的第二金属迹线，所述多个第二金属块中的每个包括在第二上层中形成的上部，在第二下层中形成的下部以及在所述第二上层和所述第二下层之间形成的多个第二互连，其中所述多个第二金属块形成具有第二环形形状的第二磁通路径，并且所述第二金属迹线连接到所述第一金属迹线。

3.根据权利要求2所述的结构，其中：

通过所述第一金属迹线的第一磁通量和通过所述第二金属迹线的第二磁通量彼此垂直相反。

4.根据权利要求1所述的结构，其中：

所述第一金属迹线形成第一将近闭合形状。

5.根据权利要求1所述的结构，其中：

所述第一上层和所述第一下层位于印刷电路板中。

6.根据权利要求1所述的结构，其中：

所述多个第一互连是边缘电镀互连。

7.根据权利要求1所述的结构，其中：

第一金属块的所述上部从所述第一上层的第一端延伸到第二端，且

第一金属块的所述下部从所述第一下层的第三端延伸到第四端；其中所述第一上层的所述第二端通过至少一个互连连接到所述第一下层的所述第三端。

8.根据权利要求7所述的结构，其中：

所述第一上层的所述第一端通过至少一个互连连接到第一相邻金属块的下部，且

所述第一下层的所述第四端通过至少一个互连连接到第二相邻金属块的上部。

9.根据权利要求1所述的结构，其中：

在电流流过所述第一金属迹线之后，所述第一金属迹线形成自封闭的磁通路径。

10.根据权利要求1所述的结构，其中：

所述多个第一互连是导孔。

11.一种系统，包括：

发射线圈，所述发射线圈具有第一绕组结构，所述第一绕组结构包括由多个第一金属块形成的第一金属迹线，其中每个第一金属块包括在第一上层中形成的上部、在第一下层中形成的下部以及在所述第一上层和所述第一下层之间形成的多个第一互连；

接收线圈，所述接收线圈具有与所述发射线圈类似的绕组结构，其中所述接收线圈被配置为与所述发射线圈磁耦合；和

有开口的金属板，放在所述发射线圈和所述接收线圈之间。

12.根据权利要求11所述的系统，其中，所述第一绕组结构包括：

由多个第二金属块形成的第二金属迹线，其中每个第二金属块包括在第二上层中形成的上部、在第二下层中形成的下部以及在所述第二上层和所述第二下层之间形成的多个第二互连。

13.根据权利要求12所述的系统，其中：

所述多个第一金属块中的每个包括在第一PCB层中形成的上部和在第二PCB层中形成的下部，且

所述多个第二金属块中的每个包括在所述第一PCB层中形成的上部和在所述第二PCB层中形成的下部。

14.根据权利要求11所述的系统，还包括：

与所述开口连接的沟槽；和

与所述沟槽耦合的电容器，其中所述电容器被配置为使得由在所述金属板上流动的感应涡流所产生的电感以及所述电容器的电容形成的谐振频率近似等于所述发射线圈中流过的电流的频率，所述电容器由所述沟槽的侧壁和填充在所述沟槽的所述侧壁之间的介电材料形成。