[发明专利]物理气相沉积设备

权利要求书

1.一种物理气相沉积设备，其特征在于，包括：腔体、加热基座、靶材及匀气管路；所述靶材位于所述腔体上部，并与射频电源连接；所述加热基座位于所述腔体下部，用于承载晶圆；所述匀气管路位于位于所述靶材下方且位于所述加热基座上方，用于向所述晶圆表面均匀供应气体，所述匀气管路包括匀气外环管及匀气内环管以及连接于所述匀气外环管及匀气内环管之间的支撑管，所述匀气外环管及匀气内环管上分布有多个出气孔，所述匀气外环管通过连接管与所述腔体上的进气口连接。

2.根据权利要求1所述的物理气相沉积设备，其特征在于：所述匀气外环管及匀气内环管的出气孔的数量各为3N且均匀分布，其中，N为大于或等于1的整数。

3.根据权利要求1所述的物理气相沉积设备，其特征在于：所述匀气外环管的出气孔与所述匀气内环管的出气孔交错分布，且在所述匀气内环管上的任意一个出气孔与在所述匀气外环管上的与该出气孔相邻的两个出气孔的连线呈等边三角形，在所述匀气外环管上的任意一个出气孔与在所述匀气内环管上的与该出气孔相邻的两个出气孔的连线呈等边三角形。

4.根据权利要求1所述的物理气相沉积设备，其特征在于：所述匀气外环管及匀气内环管的出气孔的方向为朝向各自的圆心。

5.根据权利要求1所述的物理气相沉积设备，其特征在于：所述所述匀气外环管通过均匀分布的多个支撑管与所述匀气内环管连接，所述匀气外环管通过均匀分布的多个连接管与所述腔体连接。

6.根据权利要求5所述的物理气相沉积设备，其特征在于：所述腔体上设置有与所述连接管一一对应的多个进气口。

7.根据权利要求1所述的物理气相沉积设备，其特征在于：所述匀气内环管的的半径为2～5厘米，所述匀气外环管的半径为5～15厘米，通过控制所述匀气外环管及匀气内环管的半径，以控制沉积于所述晶圆中心区域与边缘区域的薄膜的阻值均匀性。

8.根据权利要求1所述的物理气相沉积设备，其特征在于：所述匀气外环管的出气孔与所述匀气内环管的出气孔的直径为2～8毫米之间，通过控制所述匀气外环管的出气孔与所述匀气内环管的出气孔，以控制其提供反应气体的进气量。

9.根据权利要求1所述的物理气相沉积设备，其特征在于：所述物理气相沉积设备用于沉积金属化合物，所述金属化合物包括金属氧化物及金属氮化物中的一种。

10.根据权利要求9所述的物理气相沉积设备，其特征在于：所述物理气相沉积设备沉积的所述金属化合物的阻值均匀性的标准方差小于4％。