[发明专利]发光二极管器件及其制备方法

说明书

本申请公开了一种发光二极管器件及其制备方法，适用于发光二极管相关技术领域。该发光二极管器件管包括基板、台面结构、功能层和保护层；台面结构包括由第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层顺序排列所构成的半导体外延层；第二类型半导体层位于靠近基板的一侧，第一类型半导体层背对基板的表面配置有粗糙部；功能层，包括用于与半导体外延层连接的第一表面和用于与基板连接的第二表面；半导体外延层的面积小于功能层的面积；保护层配置为：至少覆盖第一表面除半导体外延层之外的区域。本申请利用保护层遮挡住功能层除半导体外延层之外的区域，提高发光二极管器件中反射层的面积，进而提高发光二极管器件的出光效率。

技术领域

本申请涉及发光二极管相关技术领域，尤其涉及一种发光二极管器件及其制备方法。

背景技术

发光二极管器件由于其较高的发光效率在很多领域均有广泛的应用。为了提高发光二极管器件的出光效率，现有常见的发光二极管器件常在半导体外延层下方设置反射层，反射层的面积越大，其出光效率越高。但是，现有发光二极管器件一般均需对半导体外延层粗化处理，在粗化处理过程中，蚀刻液容易渗透至反射层，并刻蚀反射层，从而影响发光二极管器件的出光效率。

因此，如何在发光二极管器件具有较大反射层的情况下，避免反射层在后续形成粗糙部过程中被刻蚀，以提高发光二极管器件的出光效率，成为本领域亟需解决的问题。

发明内容

本申请的目的是提供一种发光二极管器件，其能够改善现有发光二极管器件在具有较大反射层的情况下，反射层在后续形成粗糙部过程中易被刻蚀所导致的出光效率差的问题。

本申请的另一目的还在于提供一种发光二极管器件的制备方法。

第一方面，本申请实施例提供一种发光二极管器件，包括：

基板；

台面结构，台面结构包括由第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层顺序排列所构成的半导体外延层，第二类型半导体层位于靠近基板的一侧，第一类型半导体层背对基板的表面配置有粗糙部；

功能层，包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面与半导体外延层连接，第二表面与基板连接；半导体外延层的面积小于功能层的面积；

保护层，其配置为：至少覆盖功能层的第一表面除半导体外延层之外的区域。

在一种可能的实施方案中，粗糙部的面积等于设有该粗糙部的表面的面积；保护层覆盖的区域还包括：半导体外延层的至少部分侧壁；位于半导体外延层的部分侧壁的保护层为环状结构。

在一种可能的实施方案中，粗糙部的面积小于设有该粗糙部的表面的面积；保护层覆盖的区域还包括：半导体外延层的全部侧壁，以及设有粗糙部的第一类型半导体层表面除粗糙部以外的区域。

在一种可能的实施方案中，粗糙部的面积小于设有该粗糙部的表面的面积；保护层覆盖的区域还包括：基板的至少部分侧壁、半导体外延层的全部侧壁、以及设有粗糙部的第一类型半导体层表面除粗糙部以外的区域。

在一种可能的实施方案中，第一类型半导体层表面被保护层覆盖的那部分的高度大于粗糙部的高度。

在一种可能的实施方案中，保护层由原子层沉积法制备得到，且该保护层作为抗蚀刻层，用于在形成粗化部过程中保护功能层。

在一种可能的实施方案中，保护层的制备材料为氧化硅、氮化硅、氮化硅的一种或多种，或保护层的制备材料为金属。

在一种可能的实施方案中，功能层包括反射层，反射层与第二类型半导体层接触；且反射层距基板侧壁的距离小于半导体外延层距基板侧壁的距离。