[发明专利]电路版图检测方法、装置、设备和介质

说明书

本申请实施例公开一种电路版图检测方法、装置、设备和介质，用于解决相关技术中风险点检测效率低下的问题。本申请实施例中，对同类型场氧之间的距离进行识别分析，当距离较小且未注入不同类型的场氧时，容易导致产生寄生三极管导致芯片可靠性下降。故此，本申请实施例对同类型场氧之间的距离进行检测并识别是否存在不同类型场氧，从而定位出风险点，能够自动排除无风险地方，并自动检测出风险点供工程师进一步校验，以此来提高检测效率。

技术领域

本申请涉及电路检测领域，特别涉及一种电路版图检测方法、装置、设备和介质。

背景技术

芯片在使用过程中存在着ESD(Electro-Static discharge，静电释放)和Latchup(闩锁)风险，严重影响到芯片的可靠性。

为了提高芯片的质量，需要对版图进行电学规则、工艺规则和放电通路进行验证。相关技术中，目前在工业界常用的检查方法是，依靠的是工程师的经验进行肉眼排查版图，检查是否存在风险点，而人工分析的方法有两个显著地缺点，首先，隐藏的风险判断需要一定的经验基础，这就对工程师的经验提出了一定的要求，其次，随着电路设计的日益复杂，芯片规模的不断增加，人工分析的工作量十分庞大，这会极易发生遗漏，从而埋下风险的种子。故此，相关技术中，检测的方法不仅效率低。

发明内容

本申请的目的是提供一种电路版图检测方法、装置、设备和介质，用于解决相关技术中对风险点检测的效率低下的问题。

第一方面，本申请提供一种电路版图检测方法，所述方法包括：

获取目标电路版图；

从所述目标电路版图中识别出多个场氧的相对位置关系；

根据所述相对位置关系，当识别出任何两同类型场氧之间的距离小于预设距离且所述两同类型场氧之间未注入异型场氧时，输出所述两同类型场氧存在寄生三极管的提示信息。

在一些实施例中，所述方法还包括：

当所述两同类型场氧之间的距离大于或等于所述预设距离时，确定所述两同类型场氧之间不存在寄生三极管。

在一些实施例中，所述方法还包括：

当所述两同类型场氧之间的距离小于所述预设距离且所述两同类型场氧之间注入有异型场氧时，确定所述两同类型场氧不存在寄生三极管。

在一些实施例中，所述从所述目标电路版图中识别出多个场氧的相对位置关系之前，所述方法还包括：

从所述目标电路版图中提取出待检测的目标场氧层；

所述从所述目标电路版图中识别出多个场氧的相对位置关系，包括：

从所述目标场氧层中识别出多个场氧的相对位置关系。

在一些实施例中，所述从所述目标电路版图中提取出待检测的目标场氧层，包括：

从所述目标电路版图中提取出以下图层：由所有场氧和N型注入场氧进行逻辑与操作得到的第一图层NPOD、由所有场氧和P型注入场氧进行逻辑与操作得到的第二图层PPOD、由与存储功能区域的所有场氧OD_RAM金属连接的器件层减去所有场氧得到的第三图层OD_DMY、由包含在具有存储功能标签RAM区域内的所有场氧构成的第四图层OD_RAM、由所述第一图层减去N阱之后并减去高压阱得到的第五图层NOD；

由所述NOD减去所述OD_DMY得到N型场氧层NOD_CHECK；

由所述N阱和所述高压阱的合集与所述PPOD的交集组成的第六图层POD；

由所述POD减去所述OD_DMY得到的P型场氧层POD_CHECK；

其中，所述目标场氧层包括所述NOD_CHECK和所述POD_CHECK。