[发明专利]易于焊接的倒装Mini/Micro-LED芯片及其制备方法、封装方法

权利要求书

1.易于焊接的倒装Mini/Micro-LED芯片，其特征在于，包括衬底、设于衬底上的发光结构、设于发光结构上的电极、以及设于电极上的焊接层；

所述焊接层包括焊料层、设于焊料层上的助焊层、以及设于焊料层和助焊层上并将助焊层包裹的保护层；其中，

所述焊料层的材料选自锡铅焊料、银焊料、铜焊料和纯锡焊料中的一种或几种；

所述助焊层由助焊剂制成，所述助焊剂的粘度为200～600kcps，回焊后的残留物小于50％；

所述保护层的材料选自聚乙烯、乙烯-四氟乙烯和蜡中的一种。

2.如权利要求1所述的易于焊接的倒装Mini/Micro-LED芯片，其特征在于，所述助焊层的材料选自松香和/或树脂；

所述树脂为热固性树脂，选自不饱和聚酯、乙烯基酯、环氧型马来酰亚胺树脂、酚醛型马来酰亚胺树脂、双马来酰亚胺树脂和聚酰亚胺树脂中的一种或几种。

3.如权利要求2所述的易于焊接的倒装Mini/Micro-LED芯片，其特征在于，所述松香含有1％～5％质量比的卤化合物，所述卤化合物为含有氟、氯、溴、碘和砹中的一种或几种元素的化合物。

4.如权利要求1所述的易于焊接的倒装Mini/Micro-LED芯片，其特征在于，所述焊料层的厚度为10～100μm；

所述助焊层的厚度为2～20μm。

5.如权利要求1所述的易于焊接的倒装Mini/Micro-LED芯片，其特征在于，所述保护层的厚度为1～10μm。

6.一种易于焊接的倒装Mini/Micro-LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：

一、在衬底上形成发光结构；

二、在发光结构上形成电极；

三、在电极上形成焊料层，所述焊料层的材料选自锡铅焊料、银焊料、铜焊料和纯锡焊料中的一种或几种；

四、在焊料层上形成助焊层，所述助焊层由助焊剂制成，所述助焊剂的粘度为200～600kcps，回焊后的残留物小于50％；

五、在焊料层和助焊层上形成保护层，所述保护层将助焊层包裹，所述保护层的材料选自聚乙烯、乙烯-四氟乙烯和蜡中的一种。

7.如权利要求6所述的易于焊接的倒装Mini/Micro-LED芯片的制作方法，其特征在于，步骤(三)中，采用黄光蒸镀或钢网印刷的方式在电极上形成焊料层，所述焊料层的厚度为10～100μm；

步骤(四)中，采用旋转涂布或喷洒的方式在焊料层上形成助焊层，所述助焊层的厚度为2～20μm；

步骤(五)中，采用旋转涂布或喷洒的方式在助焊层上形成保护层，所述保护层的厚度为1～10μm。

8.一种倒装Mini/Micro-LED芯片的封装方法，其特征在于，包括：

A、将权利要求1～5任一项所述的倒装Mini/Micro-LED芯片放置在基板上，其中，倒装Mini/Micro-LED芯片的焊接层与基板上的焊盘对准；

B、对基板进行加热，焊接层粘合在倒装Mini/Micro-LED芯片和基板之间，助焊层与焊盘形成含碳化合物。

9.如权利要求8所述的倒装Mini/Micro-LED芯片的封装方法，其特征在于，步骤(B)中，对基板进行梯度加热，设置第一温区、第二温区、第三温区、第四温区、第五温区、第六温区和第七温区，其中，150℃＜第一温区的温度＜第二温区的温度＜第三温区的温度＜第四温区的温度＜第五温区的温度＜第六温区的温度＜第七温区的温度＜250℃。

10.如权利要求9所述的倒装Mini/Micro-LED芯片的封装方法，其特征在于，所述第一温区的温度为160～165℃，所述第二温区的温度为170～175℃，所述第三温区的温度为180～185℃，所述第四温区的温度为190～195℃，所述第五温区的温度为200～205℃，所述第六温区的温度为210～215℃，所述第七温区的温度为220～225℃。