[发明专利]光电转换器件以及传感器和电子设备在审
申请号: | 202011116438.8 | 申请日: | 2020-10-19 |
公开(公告)号: | CN112786786A | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 南太规;尹晟荣;朴敬培;朴性俊;许哲准 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王华芹 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 转换 器件 以及 传感器 电子设备 | ||
1.光电转换器件,其包括
第一电极和第二电极;以及
在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层,
所述光电转换层包括第一材料、第二材料、和第三材料,
所述第一材料和所述第二材料形成pn结,和
所述第三材料不同于所述第一材料和所述第二材料,和
所述第三材料配置成调整所述第一材料或所述第二材料的能级分布。
2.如权利要求1所述的光电转换器件,其中所述第三材料的偶极矩大于或等于5.5德拜。
3.光电转换器件,其包括
第一电极和第二电极;以及
在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层,
所述光电转换层包括第一材料、第二材料、和第三材料的混合物,
所述第一材料、所述第二材料、和所述第三材料彼此不同,
所述第一材料和所述第三材料为具有在第一波长区域中的最大吸收波长的光吸收材料,
所述第一波长区域为蓝色波长区域、绿色波长区域、红色波长区域、和红外波长区域之一,
所述第三材料的偶极矩大于或等于5.5德拜,和
基于所述第一材料和所述第三材料的总体积,以小于或等于30体积%的量包括所述第三材料。
4.如权利要求1或3所述的光电转换器件,其中
所述第三材料配置成调整所述第一材料的HOMO能级分布,和
所述第三材料的HOMO能级比所述第一材料的HOMO能级深或者比所述第一材料的HOMO能级浅在小于或等于0.3eV的范围内的值。
5.如权利要求4所述的光电转换器件,其中
所述第三材料的HOMO能级为4.7eV-6.2eV,和
所述第一材料的HOMO能级为5.0eV-5.8eV。
6.如权利要求4所述的光电转换器件,其中
所述第三材料的HOMO能级为5.1eV-6.0eV,和
所述第一材料的HOMO能级为5.0eV-5.8eV。
7.如权利要求4所述的光电转换器件,其中
所述第三材料提供所述第一材料的调整的HOMO能级,和
所述第一材料的所述调整的HOMO能级比所述第一材料的HOMO能级深。
8.如权利要求7所述的光电转换器件,其中所述第一材料的所述调整的HOMO能级在所述第一材料的HOMO能级和所述第二材料的HOMO能级之间。
9.如权利要求1所述的光电转换器件,其中
所述光电转换层的吸收光谱具有在第一波长区域中的最大吸收波长,
所述第一波长区域为蓝色波长区域、绿色波长区域、红色波长区域、和红外波长区域之一,和
所述第一材料和所述第三材料各自为具有在所述第一波长区域中的最大吸收波长的光吸收材料。
10.如权利要求1或3所述的光电转换器件,其中所述光电转换层包括所述第一材料、所述第二材料、和所述第三材料的混合物。
11.如权利要求1所述的光电转换器件,其中基于所述第一材料和所述第三材料的总体积,以小于或等于30%体积的量包括所述第三材料。
12.如权利要求3或11所述的光电转换器件,其中基于所述第一材料和所述第三材料的总体积,以1%体积-10%体积的量包括所述第三材料。
13.如权利要求3或11所述的光电转换器件,其中所述光电转换层的HOMO能级分布不同于由所述第一材料和所述第二材料形成的薄膜的HOMO能级分布。
14.如权利要求13所述的光电转换器件,其中所述光电转换层的HOMO能级比由所述第一材料和所述第二材料形成的薄膜的HOMO能级深。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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