[发明专利]字线调制电路

说明书

本发明提供一种字线调制电路。上述字线调制电路包括至少一反相器、一电源开关电路、至少一第一电容器以及至少一第二电容器。上述反相器耦接一字线和一反相字线，以接收一反相字线信号和产生一字线信号，以及经由上述字线耦接一第一电容器。上述电源开关电路耦接上述反相器，以及用以接收一电源开关控制信号。上述第二电容器耦接上述反相器和上述电源开关电路于一内部节点，以及用以接收一升压信号。

技术领域

本发明的实施例主要涉及一字线调制电路技术，特别涉及藉由一字线调制电路实现电荷分享(Charging Sharing，CS)-字线抑制驱动(Word-Line Under-Driving，WLUD)机制和电容性耦合(Capacitive Coupling，CC)-字线过驱动(Word-Line Over-Driving，WLOD)机制的字线调制电路技术。

背景技术

使用读写辅助技术是提升先进工艺下存储装置的良率重要的手段。以静态随机存取存储器(Static Random Access Memory，SRAM)为例，使用读取辅助技术可以提升访问干扰裕量(access disturb margin，ADM)，以降低读取遭破坏的机率，使用写入辅助技术可以提升写裕量(write margin，WM)，以降低写入失败的机率。

在各种辅助技术中，字线调制是一种常用的方法。字线调制可包括字线抑制驱动(Word-Line Under-Driving，WLUD)和字线过驱动(Word-Line Over-Driving，WLOD)，其原理是控制存储装置的比特单元(或称之为“位单元”)中通行门晶体管的驱动能力。

然而，传统使用上字线抑制驱动(WLUD)和使用字线过驱动(WLOD)需要在芯片上分别配置直流分压电路，或增加外部电源来实现。因此，将会增加存储装置的面积和功耗。

发明内容

有鉴于上述现有技术的问题，本发明的实施例提供了一种字线调制电路、电荷分享-字线抑制驱动机制的方法和电容性耦合-字线过驱动机制的方法。

根据本发明的一实施例提供了一种字线调制电路。上述字线调制电路包括至少一反相器、一电源开关电路、至少一第一电容器以及至少一第二电容器。上述反相器耦接一字线和一反相字线，以接收一反相字线信号和产生一字线信号，以及经由上述字线耦接一第一电容器。上述电源开关电路耦接上述反相器，以及用以接收一电源开关控制信号。上述第二电容器耦接上述反相器和上述电源开关电路于一内部节点，以及用以接收一升压信号。

根据本发明一实施例，上述反相器包含一第一P型-晶体管和一第一N型-晶体管，其中上述第一P型-晶体管的栅极耦接上述第一N型-晶体管的栅极，且上述第一P型-晶体管的栅极和上述第一N型-晶体管的栅极耦接上述反相字线，以接收上述反相字线信号。

根据本发明一实施例，上述第一P型-晶体管的漏极耦接上述第一N型-晶体管的漏极，且上述第一P型-晶体管的漏极和上述第一N型-晶体管的漏极耦接上述字线，以产生上述字线信号，其中上述字线耦接上述第一电容器的一端，且上述第一电容器的另一端耦接一地节点。

根据本发明一实施例，上述第一P型-晶体管的一第一源极耦接上述电源开关电路和上述第二电容器于上述内部节点，且上述第一N型-晶体管的一第二源极耦接地节点。

根据本发明一实施例，上述电源开关电路包括至少一第二P型-晶体管。

根据本发明一实施例，上述第二P型-晶体管的栅极接收上述电源开关控制信号、上述第二P型-晶体管的漏极耦接上述反相器和上述第二电容器于上述内部节点，以及上述第二P型-晶体管的源极耦接一电源节点。

根据本发明一实施例，上述第二电容器的一端耦接上述反相器和上述电源开关电路于一内部节点，以及上述第二电容器的另一端接收上述升压信号。