[发明专利]一种半导体芯片封装工艺的晶圆磨片设备及磨片方法

权利要求书

1.一种半导体芯片封装工艺的晶圆磨片设备，包括外壁(1)，所述外壁(1)的底端固定连接有承片台底盘(2)，其特征在于：所述承片台底盘(2)的中间设有气室，所述气室的底端固定安装有气阀(3)，所述气室的顶端固定连接有吸盘(4)，所述吸盘(4)的顶端活动连接有晶圆片(5)，所述承片台底盘(2)的顶端活动连接有石蜡(6)，所述承片台底盘(2)的两侧固定连接有回收管(7)，所述回收管(7)的顶端固定安装有石蜡阀门(8)，所述回收管(7)的底端固定连接有分离装置(9)，所述外壁(1)的顶端固定安装有石蜡注入口(10)，所述晶圆片(5)的上方活动安装有磨轮(11)，所述磨轮(11)的顶端活动连接有转轴(12)。

2.根据权利要求1所述的一种半导体芯片封装工艺的晶圆磨片设备，其特征在于：所述气阀(3)为单向阀，且阀的流通方向为由气室内部至气室外部。

3.根据权利要求1所述的一种半导体芯片封装工艺的晶圆磨片设备，其特征在于：所述承片台底盘(2)的顶面具有一定的坡度，所述回收管(7)位于坡度的最低处。

4.根据权利要求1所述的一种半导体芯片封装工艺的晶圆磨片设备，其特征在于：所述分离装置(9)可将石蜡中的硅碎屑过滤清除并回收。

5.根据权利要求1所述的一种半导体芯片封装工艺的晶圆磨片设备，其特征在于：所述吸盘(4)的材质为耐热性好、柔韧性强的材料。

6.根据权利要求1所述的一种半导体芯片封装工艺的晶圆磨片设备的磨片方法，其特征在于，包括以下操作步骤：

S1、通过送料装置将晶圆片(5)放置于承片台的中央；

S2、打开石蜡注入口(10)的开关向晶圆片(5)的四周注入热的石蜡(6)液体，同时气室受热内部气体膨胀，通过气阀(3)向外排出一部分气体；

S3、通过降温装置使石蜡(6)凝固，对晶圆片(5)边缘的尖刺和细小缺口进行填补，同时气室内温度降低使吸盘(4)吸附固定住晶圆片(5)；

S4、转轴(12)带动磨轮(11)旋转下移进给，对晶圆片(5)的表面进行削薄；

S5、磨轮(11)移回至初始位置，加热承片台内固体石蜡(6)使其熔化，其室内气体再次膨胀停止对晶圆片(5)的吸附固定；

S6、打开石蜡阀门(8)，使液体石蜡(6)携带磨削残渣流出至分离装置(9)内进行分离，取出打磨好的晶圆片(5)。

7.根据权利要求6所述的一种半导体芯片封装工艺的晶圆磨片设备的磨片方法，其特征在于：所述步骤S2中，注入石蜡(6)时所注入的石蜡(6)液位高度高于晶圆片(5)的上表面。