[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一封装件，所述第一封装件包括嵌入式管芯和再分布结构；

第一连接件，附接至所述再分布结构，所述第一连接件包括嵌入在所述第一连接件中的间隔件；

第二连接件，附接至所述再分布结构，所述第二连接件没有所述间隔件，其中，所述间隔件的材料具有第一回流温度，所述第二连接件具有第二回流温度，并且所述第一回流温度大于所述第二回流温度；以及

第二封装件，所述第一连接件和所述第二连接件将所述第一封装件电耦合和物理耦合至所述第二封装件。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一连接件设置在所述第一封装件的拐角中。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述间隔件是球形的。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述间隔件具有平坦的上表面和平坦的下表面。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述间隔件包括由一个或多个附加层围绕的芯材料。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一连接件还包括：

第一焊料材料，设置在所述间隔件和所述第一封装件的第一接触件之间；以及

第二焊料材料，设置在所述间隔件和所述第二封装件的第二接触件之间，其中，所述间隔件的部分不含所述第一焊料材料并且不含所述第二焊料材料。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一连接件处的所述第一封装件和所述第二封装件之间的第一距离小于所述第二连接件处的所述第一封装件和所述第二封装件之间的第二距离。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一封装件是翘曲的。

9.一种半导体器件，包括：

第一封装件，所述第一封装件包括插入在再分布结构和封装盖之间的嵌入式管芯，所述再分布结构具有位于所述再分布结构的前侧处的第一接触区域和第二接触区域；

第一连接件，设置在所述第一封装件的所述第一接触区域上方，所述第一连接件的每个包括嵌入在焊料材料中的间隔件；以及

第二连接件，设置在所述第一封装件的所述第二接触区域上方，所述第二连接件的每个包括所述焊料材料，所述焊料材料的回流温度比所述间隔件的材料的回流温度低。

10.一种形成半导体器件的方法，包括：

将第一连接件设置在第一封装件的前侧上，所述第一连接件包括间隔件；

将第二连接件设置在所述第一封装件的前侧上，所述第二连接件没有所述间隔件；

将所述第一封装件与第二器件衬底对准；以及

回流所述第一连接件和所述第二连接件以将所述第一封装件物理耦合和电耦合至所述第二器件衬底，所述间隔件在所述回流期间保持所述间隔件的形状，所述间隔件在所述回流期间在所述第一连接件处的所述第一封装件和所述第二器件衬底之间提供最小距离，其中，所述最小距离对应于所述间隔件的高度。