[发明专利]一种基于多层结构的THz导波调控装置

权利要求书

1.一种基于多层结构的THz导波调控装置，其特征在于：包括两个相同的传输THz波的平板介质波导，以及设置于其间的转换结构；

所述转换结构的截面以及端面均与两个平板介质波导的截面和端面大小相适应，实现两个平板介质波导间的波导互联；转换结构中通过填充等间距排列且互相平行的高阻硅片，高阻硅片之间是空气，各高阻硅片与平板介质波导传输方向成夹角，实现THz波在平板介质波导非直线互联情况下的无干扰传输；其中，平板介质波导为相对介电常数2.34的高密度聚乙烯，高阻硅的相对介电常数为11.9，高阻硅片厚度为0.1mm。

2.如权利要求1所述基于多层结构的THz导波调控装置，其特征在于：所述平板介质波导非直线互联情况分为平移传输、绕行传输以及弯曲传输。

3.如权利要求1所述基于多层结构的THz导波调控装置，其特征在于：

当两个平板介质波导处于不同平面需要进行平移传输互联时，所述转换结构在传输方向的剖面为一个平行四边形，该平行四边形范围的连接区域填充的是等间距排列的高阻硅片，各高阻硅片与平板介质波导传输方向的夹角为52.8°，高阻硅片间的间距为0.255mm；

平移传输时：平板介质波导厚度为1.8mm，长度为3mm，水平方向相距3.5mm，垂直方向相距1.96mm对应平移高度。

4.如权利要求1所述基于多层结构的THz导波调控装置，其特征在于：

当两个平板介质波导处于同一平面内需要进行绕行传输互联时，所述转换结构在传输方向的剖面为两个互成镜像的平行四边形，该平行四边形范围的连接区域填充的是等间距排列的高阻硅片，各高阻硅片与平板介质波导传输方向的夹角为52.8°，高阻硅片间的间距为0.255mm；两个平行四边形相对两个平板介质波导所处平面抬高构成的三角形凸起区域为需要绕行的障碍物所处区域；

绕行传输时：平板介质波导厚度为1.8mm，长度为3mm，水平方向相距7mm；三角形凸起区域的高度为1.96mm。

5.如权利要求1所述基于多层结构的THz导波调控装置，其特征在于：

当两个平板介质波导有夹角需要进行弯曲传输互联时，所述转换结构在传输方向的剖面为两个互成镜像的三角形，该三角形范围的连接区域填充的是等间距排列的高阻硅片，各高阻硅片与平板介质波导传输方向的夹角为5.1°，高阻硅片间的间距为0.246mm；

弯曲传输时，平板介质波导厚度为1.8mm，弯曲传输角度的夹角为120°。