[发明专利]传感器结构和传感器结构的形成方法

权利要求书

1.一种传感器结构，其特征在于，包括：

若干芯片结构，若干所述芯片结构呈二维阵列排布；

所述芯片结构包括相互键合的第一芯片和第二芯片，所述第一芯片内具有传感器阵列，所述第二芯片内具有与传感器阵列电连接的电路结构。

2.如权利要求1所述的传感器结构，其特征在于，还包括：基板；若干所述芯片结构位于基板上，且若干所述芯片结构与基板连接。

3.如权利要求2所述的传感器结构，其特征在于，所述基板包括集成电路板。

4.如权利要求2所述的传感器结构，其特征在于，还包括：位于若干所述芯片结构与基板之间的粘结层。

5.如权利要求4所述的传感器结构，其特征在于，所述粘结层的材料包括绝缘材料；所述绝缘材料包括热固胶。

6.如权利要求1所述的传感器结构，其特征在于，所述传感器阵列包括图像传感器阵列。

7.如权利要求1所述的传感器结构，其特征在于，所述第一芯片包括相对的第一面和第二面，所述传感器阵列位于第一面上，所述传感器阵列包括若干传感器单元，任一所述传感器单元与对应的电路结构电连接；所述第二芯片包括相对的第三面和第四面，所述第二芯片第三面上具有电路层，所述电路结构位于电路层内；所述第一芯片的第二面与第二芯片的第三面键合。

8.如权利要求7所述的传感器结构，其特征在于，所述芯片结构还包括：若干第一硅通孔结构，所述第一硅通孔结构从第一芯片第二面向第一面延伸，任一所述第一硅通孔结构与一个所述传感器单元电连接，且若干所述第一硅通孔结构与所述电路结构电连接；若干第二硅通孔结构，所述第二硅通孔结构从第二芯片第四面向第三面延伸，所述第二硅通孔结构与所述电路结构电连接。

9.如权利要求8所述的传感器结构，其特征在于，所述第一硅通孔结构包括第一导电层和位于第一导电层与第一芯片之间的第一绝缘层；所述第二硅通孔结构包括第二导电层和位于第二导电层与第二芯片之间的第二绝缘层。

10.如权利要求9所述的传感器结构，其特征在于，所述第一导电层的材料包括金属，所述金属包括钨、铜、钴、氮化钛、钛、钽、氮化钽、钌、氮化钌和铝中的一种或多种的组合；所述第一导电层的材料包括金属，所述金属包括钨、铜、钴、氮化钛、钛、钽、氮化钽、钌、氮化钌和铝中的一种或多种的组合。

11.如权利要求9所述的传感器结构，其特征在于，所述第一绝缘层的材料包括氧化硅、氮化硅、碳化硅、碳氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮碳化硅和氮碳氧化硅中的一种或多种的组合；所述第二绝缘层的材料包括氧化硅、氮化硅、碳化硅、碳氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮碳化硅和氮碳氧化硅中的一种或多种的组合。

12.如权利要求7所述的传感器结构，其特征在于，所述芯片结构还包括：位于第二芯片第四面上的再布线结构；所述再布线结构包括钝化层和位于钝化层内的导电结构，所述导电结构与第二硅通孔结构电连接。

13.如权利要求12所述的传感器结构，其特征在于，所述芯片结构还包括：位于再布线结构上的若干金属引脚，所述金属引脚与所述导电结构电连接。

14.如权利要求13所述的传感器结构，其特征在于，所述金属引脚包括焊球、铜柱、金针或焊盘。

15.如权利要求7所述的传感器结构，其特征在于，所述传感器阵列距第一芯片边缘具有第一间距，相邻芯片结构之间具有第二间距，传感器单元具有第三间距；所述第一间距小于所述第三间距，且所述第二间距加2倍的第一间距为1～3倍的第三间距。