[发明专利]一种熔丝修调系统及方法

权利要求书

1.一种熔丝修调系统，其特征在于，包括：

熔丝电阻、读出模块、可变参考电阻模块、用于放大压降信号的伪差分放大器模块；

所述熔丝电阻的一端与电源连接，所述熔丝电阻的另一端与所述伪差分放大器模块的正输入端连接，所述可变参考电阻模块的输入端与电源连接，所述可变参考电阻模块的输出端与所述伪差分放大器模块的负输入端连接，所述伪差分放大器模块的输出端与所述读出模块的输入端连接；

其中，所述伪差分放大器模块包括：第一P型MOS管、第二P型MOS管、第一N型MOS管、第二N型MOS管，所述第一P型MOS管的源极与所述熔丝电阻的另一端连接，所述第一P型MOS管的栅极与所述第二P型MOS管的栅极连接，所述第二P型MOS管的源极与所述可变参考电阻模块的输出端连接，所述第二P型MOS管的漏极与所述第二N型MOS管的漏极连接，所述第一N型MOS管的源极和第二N型MOS管的源极分别接地，所述第一N型MOS管的栅极与所述第二N型MOS管的栅极连接，所述第一N型MOS管的漏极与所述第一P型MOS管的漏极分别与所述读出模块的输入端连接；

所述读出模块包括反相器，所述伪差分放大器模块的修调原理为：修调前所述熔丝电阻的阻值小于所述可变参考电阻模块的阻值，保证所述伪差分放大器模块的正端输入电压高于所述伪差分放大器模块的负端输入电压，所述伪差分放大器模块的输出电压在所述反相器的翻转电压之上；修调后所述熔丝电阻的阻值大于所述可变参考电阻模块的阻值，所述伪差分放大器模块的正端输入电压低于所述伪差分放大器模块的负端输入电压，所述伪差分放大器模块将该压降变化的信号放大，使得所述伪差分放大器模块的输出电压变化到所述反相器的翻转电压之下，从而实现修调前后状态翻转，通过所述伪差分放大器模块使得修调后所述熔丝电阻的阻值要求由兆欧量级降低为千欧量级。

2.根据权利要求1所述的熔丝修调系统，其特征在于，所述可变参考电阻模块至少包括以下之一：第一电阻单元、第二电阻单元、第三电阻单元、第四电阻单元，不同电阻单元之间串联或并联。

3.根据权利要求2所述的熔丝修调系统，其特征在于，所述第一电阻单元包括：一个或多个第一电阻子单元，所述第一电阻子单元包括：第一电阻和第一开关，所述第一电阻与第一开关串联，多个所述第一电阻子单元并联，多个所述第一电阻相同。

4.根据权利要求2所述的熔丝修调系统，其特征在于，所述第二电阻单元包括：一个或多个第二电阻子单元，所述第二电阻子单元包括：第二电阻和第二开关，所述第二电阻和第二开关并联，多个所述第二电阻子单元串联，多个所述第二电阻相同。

5.根据权利要求2所述的熔丝修调系统，其特征在于，所述第三电阻单元包括：一个或多个第三电阻子单元，所述第三电阻子单元包括：第三电阻和第三开关，所述第三电阻与所述第三开关串联，多个所述第三电阻的大小以预先设置的标准第三电阻值为基础幂次递减，幂次递减的倍率为1/2倍，递减的方向为所述可变参考电阻模块的输入端到所述可变参考电阻模块的输出端的方向，多个所述第三电阻子单元并联。

6.根据权利要求2所述的熔丝修调系统，其特征在于，所述第四电阻单元包括：一个或多个第四电阻子单元，所述第四电阻子单元包括：第四电阻和第四开关，所述第四电阻与所述第四开关并联，多个所述第四电阻的大小以预先设置的标准第四电阻值为基础幂次递增，幂次递增的倍率为2倍，递增的方向为所述可变参考电阻模块的输入端到所述可变参考电阻模块的输出端的方向，多个所述第四电阻子单元串联。

7.根据权利要求1所述的熔丝修调系统，其特征在于，还包括：用于提供偏置电压的偏置模块，所述第一N型MOS管的栅极与所述第二N型MOS管的栅极分别与所述偏置模块的输出端连接。

8.根据权利要求1所述的熔丝修调系统，其特征在于，还包括：受控开关模块，所述受控开关模块的一端与所述熔丝电阻远离所述电源的一端连接，所述受控开关模块的另一端接地。

9.一种熔丝修调方法，其特征在于，包括：

采用如权利要求1所述的熔丝修调系统，设置熔丝电阻、读出模块、可变参考电阻模块和用于放大压降变化信号的伪差分放大器模块；

将所述熔丝电阻的一端与电源连接，将所述熔丝电阻的另一端与所述伪差分放大器模块的正输入端连接，将所述可变参考电阻模块的输入端与电源连接，将所述可变参考电阻模块的输出端与所述伪差分放大器模块的负输入端连接，将所述伪差分放大器模块的输出端与所述读出模块的输入端连接。