[发明专利]一种晶圆侧壁和背面封堵保护层加工工艺在审
| 申请号： | 202011119872.1 | 申请日： | 2020-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN112233968A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;文锺;符德荣 | 申请（专利权）人： | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 王依 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 侧壁 背面 封堵 保护层 加工 工艺 | ||
1.一种晶圆侧壁和背面封堵保护层加工工艺，其特征在于，包括如下步骤：
S1：晶圆表面沉积
将SiOx及SiOxNy外延复合堆叠在晶圆(1)的表面，形成SiOx及SiOxNy复合薄膜(2)，外延成长的厚度若是Xum，则所需封堵的绝缘层厚度最少是0.2Xum才能完全阻隔；
S2、移除晶圆正面保护层
使用精确边缘焊道移除控制或者环状气环保护的单晶圆式单面湿蚀刻方式，将晶圆(1)正面覆盖的SiOx及SiOxNy复合薄膜(2)蚀刻掉，留下晶圆(1)反面、侧端以及正面边缘的SiOx及SiOxNy复合薄膜(2)；
S3、外延磊晶覆膜
在晶圆(1)正面外延生长出磊晶厚膜(3)；
S4、保护SiOx及SiOxNy复合薄膜去除
将晶圆(1)置于高温炉管中氧化灼烧，在磊晶厚膜(3)上生成氧化膜(4)；
S5、去除SiOx及SiOxNy复合薄膜
使用HF蚀刻掉晶圆(1)上剩余的SiOx及SiOxNy复合薄膜(2)。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆侧壁和背面封堵保护层加工工艺，其特征在于，所述S1中SiOx及SiOxNy外延复合堆叠的温度为1100-1200℃，外延成长的厚度为5-50um。
3.根据权利要求1所述的一种晶圆侧壁和背面封堵保护层加工工艺，其特征在于，所述S3中磊晶厚膜(3)的厚度为30-40um。
4.根据权利要求1所述的一种晶圆侧壁和背面封堵保护层加工工艺，其特征在于，所述S4中氧化膜(4)的厚度为10-20um。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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