[发明专利]一种晶圆厚膜金属层、PAD金属图案的制作工艺有效
申请号: | 202011119885.9 | 申请日: | 2020-10-19 |
公开(公告)号: | CN112234016B | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 严立巍;符德荣;文锺 | 申请(专利权)人: | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/768 |
代理公司: | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人: | 王依 |
地址: | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆厚膜 金属 pad 图案 制作 工艺 | ||
1.一种晶圆厚膜金属层、PAD金属图案的制作工艺,其特征在于,包括以下步骤:
S1、将晶圆正面键合玻璃载板,对晶圆背面研磨减薄,然后在晶圆背面进行微影工艺及离子注入工艺;
S2、采用飞秒激光结合湿蚀刻对玻璃载板进行开窗;
S3、在玻璃载板的窗口处进行晶圆正面的厚膜金属连线及PAD光刻及蚀刻的加工;
S4、将晶圆背面贴附在切割膜框上,以镭射、UV或加热法解键合后移除玻璃载板,并清洗移除黏着层;
S5、以金刚石锯或镭射切割切断超薄晶圆及切割道上残留的金属,完成制作晶圆的厚膜金属连线、PAD金属图案;
所述步骤S2中玻璃载板开窗方法包括下述两种方案:
方案一:玻璃载板键合晶圆前采用飞秒激光加工开窗区域的周边,玻璃载板键合晶圆后采用HF蚀刻该区域形成环形蚀刻孔洞,通过镭射对中间区域孤岛玻璃进行解键合,然后通过水流将中间孤岛玻璃剥离,最后使用O2Plasma电浆蚀刻开窗部位黏着层完成玻璃载板开窗;
方案二:玻璃载板键合晶圆前先将玻璃载板的中央区域减薄形成周边厚而中间大部区域薄的环状支撑型玻璃载板,玻璃载板键合晶圆后采用光刻或飞秒激光方式完成开窗的图案,再用HF湿蚀刻法去除开窗部位的玻璃,最后使用O2Plasma去除开窗部位的黏着层完成玻璃载板开窗。
2.根据权利要求1所述的晶圆厚膜金属层、PAD金属图案的制作工艺,其特征在于,所述步骤S1中晶圆背面研磨减薄后晶圆厚度为30-35um。
3.根据权利要求1所述晶圆厚膜金属层、PAD金属图案的制作工艺,其特征在于,所述方案二中玻璃载板中间区域玻璃减薄至100-200um。
4.根据权利要求1所述的晶圆厚膜金属层、PAD金属图案的制作工艺,其特征在于,所述步骤S3中厚膜金属连线、PAD的厚度为5-20um。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造