[发明专利]一种利用活泼金属氧化物优化钴基薄膜电感材料磁性能的方法有效
申请号: | 202011120360.7 | 申请日: | 2020-10-19 |
公开(公告)号: | CN112509806B | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
发明(设计)人: | 徐秀兰;于广华;冯春 | 申请(专利权)人: | 广东麦格智芯精密仪器有限公司 |
主分类号: | H01F41/18 | 分类号: | H01F41/18;H01F41/22 |
代理公司: | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人: | 张仲波 |
地址: | 528200 广东省佛山市南海区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 利用 活泼 金属 氧化物 优化 薄膜 电感 材料 磁性 方法 | ||
1.一种利用活泼金属氧化物优化钴基薄膜电感材料磁性能的方法,其特征在于:包括以下步骤,
S1.对Co基软磁材料靶材表面进行清洗;
S2.利用磁控溅射方法,在基片上依次沉积Co基软磁材料、活泼金属氧化物,形成Co基软磁材料/MO结构;
S3.沉积完毕后,在真空环境下,对步骤S2中得到的薄膜体系进行适当温度的热处理;所述热处理的温度为200~500℃,保温时间为5~30分钟;
所述Co基软磁材料包括CoZrTa、CoZrTaB;
步骤S2中所述活泼金属氧化物包括MgO、HfO2;
MgO靶材轰击时间为7-8分钟、HfO2靶材轰击时间为2-4分钟。
2.根据权利要求1所述的优化钴基磁性薄膜电感材料磁性能的方法,其特征在于:所述基片包括带有热氧化的SiO2层的Si基片、Si基片、应力应变基片。
3.根据权利要求1所述的利用活泼金属氧化物优化钴基薄膜电感材料磁性能的方法,其特征在于:步骤S1中所述清洗过程包括:先用有机化学试剂对靶材表面进行超声清洗,之后用去离子水超声清洗,最后通过氮气吹干或者烘箱烘干。
4.根据权利要求1所述的利用活泼金属氧化物优化钴基薄膜电感材料磁性能的方法,其特征在于:步骤S2中所述磁控溅射的溅射室的本底真空度为1×10-5~3×10-5Pa,溅射时氩气压为0.3~0.8Pa。
5.根据权利要求1所述的利用活泼金属氧化物优化钴基薄膜电感材料磁性能的方法,其特征在于:步骤S2中所述磁控溅射的Co基软磁材料靶材轰击时间为2-5分钟。
6.根据权利要求1所述的利用活泼金属氧化物优化钴基薄膜电感材料磁性能的方法,其特征在于:步骤S3中所述真空环境的真空度为1×10-5~5×10-5Pa。
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