[发明专利]一种利用活泼金属氧化物优化钴基薄膜电感材料磁性能的方法有效
| 申请号： | 202011120360.7 | 申请日： | 2020-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN112509806B | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 徐秀兰;于广华;冯春 | 申请（专利权）人： | 广东麦格智芯精密仪器有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/18 | 分类号： | H01F41/18;H01F41/22 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用 活泼 金属 氧化物 优化 薄膜 电感 材料 磁性 方法 | ||
1.一种利用活泼金属氧化物优化钴基薄膜电感材料磁性能的方法，其特征在于：包括以下步骤，
S1.对Co基软磁材料靶材表面进行清洗；
S2.利用磁控溅射方法，在基片上依次沉积Co基软磁材料、活泼金属氧化物，形成Co基软磁材料/MO结构；
S3.沉积完毕后，在真空环境下，对步骤S2中得到的薄膜体系进行适当温度的热处理；所述热处理的温度为200～500℃，保温时间为5～30分钟；
所述Co基软磁材料包括CoZrTa、CoZrTaB；
步骤S2中所述活泼金属氧化物包括MgO、HfO2；
MgO靶材轰击时间为7-8分钟、HfO2靶材轰击时间为2-4分钟。
2.根据权利要求1所述的优化钴基磁性薄膜电感材料磁性能的方法，其特征在于：所述基片包括带有热氧化的SiO2层的Si基片、Si基片、应力应变基片。
3.根据权利要求1所述的利用活泼金属氧化物优化钴基薄膜电感材料磁性能的方法，其特征在于：步骤S1中所述清洗过程包括：先用有机化学试剂对靶材表面进行超声清洗，之后用去离子水超声清洗，最后通过氮气吹干或者烘箱烘干。
4.根据权利要求1所述的利用活泼金属氧化物优化钴基薄膜电感材料磁性能的方法，其特征在于：步骤S2中所述磁控溅射的溅射室的本底真空度为1×10-5～3×10-5Pa，溅射时氩气压为0.3～0.8Pa。
5.根据权利要求1所述的利用活泼金属氧化物优化钴基薄膜电感材料磁性能的方法，其特征在于：步骤S2中所述磁控溅射的Co基软磁材料靶材轰击时间为2-5分钟。
6.根据权利要求1所述的利用活泼金属氧化物优化钴基薄膜电感材料磁性能的方法，其特征在于：步骤S3中所述真空环境的真空度为1×10-5～5×10-5Pa。
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