[发明专利]一种低功耗恒流的控制电路及方法在审
申请号: | 202011120396.5 | 申请日: | 2020-10-19 |
公开(公告)号: | CN112105123A | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 张攀 | 申请(专利权)人: | 美芯晟科技(北京)有限公司 |
主分类号: | H05B45/345 | 分类号: | H05B45/345;H05B45/37 |
代理公司: | 北京一枝笔知识产权代理事务所(普通合伙) 11791 | 代理人: | 张庆瑞 |
地址: | 100000 北京市海淀区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功耗 控制电路 方法 | ||
1.一种低功耗恒流控制电路,包括整流模块、负载和主功率恒流控制模块,其特征在于,所述主功率恒流控制模块包括第二比较器、第二基准产生模块和第二开关单元,其中所述第二基准产生模块接入母线电源并为所述第二比较器提供第二基准参考值;所述第二比较器获取所述负载电信号并与所述第二基准参考值比较,进而控制所述第二开关单元工作。
2.根据权利要求1所述的一种低功耗恒流控制电路,其特征在于,还包括充电环路恒流控制模块,所述充电环路恒流控制模块包括第一比较器、第一基准产生模块和第一开关单元,其中所述第一基准产生模块接入母线电源并为所述第一比较器提供第一基准参考值;
所述充电环路恒流控制模块上连接有储能模块,所述储能模块和所述充电环路恒流控制模块连接在所述整流模块的两端;
所述第一比较器获取所述储能模块电信号并与所述第一基准参考值比较,进而控制所述第一开关单元工作;
所述储能模块低电位端通过二极管接地,所述二极管正极接地,负极与所述储能模块连接。
3.根据权利要求2所述的一种低功耗恒流控制电路,其特征在于,所述主功率恒流控制模块与所述充电环路恒流控制模块采用同一基准产生模块。
4.根据权利要求3所述的一种低功耗恒流控制电路,其特征在于,所述基准产生模块包括结型场效应晶体管、电压转换单元、带隙基准单元和基准电压单元,其中所述结型场效应晶体管从母线取电,将电压提供给所述电压转换单元;所述电压转换单元将母线电压转换为工作电压;所述带隙基准单元将工作电压转换为零温度系数电压;所述基准电压单元从零温度系数电压中获取预设参考值。
5.根据权利要求4所述的一种低功耗恒流控制电路,其特征在于,所述基准产生模块还包括过温保护模块,所述过温保护模块在温度高于预设值时,将所述基准电压单元输出值置零。
6.根据权利要求2-5任一项所述的一种低功耗恒流控制电路,其特征在于,所述第二开关单元和所述第一开关单元皆为MOS管,所述MOS管在饱和区状态下工作。
7.根据权利要求2-5任一项所述的一种低功耗恒流控制电路,其特征在于,所述充电环路恒流控制模块和所述储能模块之间设置有二极管,所述二极管用于防止电流倒流,所述二极管使电流从所述储能模块朝向所述充电环路恒流控制模块单向导通。
8.一种低功耗恒流的控制方法,其特征在于,具体步骤包括:基准产生模块从母线取电获取基准参考值,所述基准参考值分别为主功率恒流控制模块和充电环路恒流控制模块提供基准。
9.根据权利要求8所述的一种低功耗恒流的控制方法,其特征在于,所述基准参考值包括第一基准参考值和第二基准参考值,第二比较器根据所述第二基准参考值和负载电信号控制第二开关单元工作,第一比较器根据所述第一基准参考值和储能模块电信号控制第一开关单元工作。
10.根据权利要求9所述的一种低功耗恒流的控制方法,其特征在于,所述基准产生模块从母线取电获取基准参考值的具体步骤包括:从母线取电后,通过电压转换单元将母线电压转换为芯片工作电压,并提供给带隙基准模块,所述带隙基准模块将芯片工作电压转换为零温度系数电压,再通过基准电压单元产生基准参考值。
11.根据权利要求10所述的一种低功耗恒流的控制方法,其特征在于,所述第一比较器控制所述第一开关单元工作的具体步骤包括:
当整流后母线电压大于储能模块两端的电压时,第一比较器控制所述第一开关单元导通,储能模块充电;
当整流后母线电压小于储能模块两端的电压时,第一比较器控制所述第一开关单元关断,二极管单向导通,储能模块放电。
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