[发明专利]一种硅基脊波导光电晶体管探测器有效
| 申请号： | 202011120442.1 | 申请日： | 2020-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN112420858B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 谢红云;向洋;沙印;朱富;纪瑞朗;张万荣 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L31/0232 | 分类号： | H01L31/0232;H01L31/0288;H01L31/0352;H01L31/11 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅基脊 波导 光电晶体管 探测器 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅基脊波导光电晶体管探测器,其特征在于：包括Si衬底、SiO2 BOX层、Si次集电区、Si集电区、Si0.8Ge0.2基区和多晶Si发射区；其中，SiO2 BOX层的厚度介于0.2μm到0.4μm之间，掺有磷元素的Si次集电区的掺杂浓度介于2×1018 cm-3到2×1020 cm-3之间且厚度介于0.2μm到0.4μm之间，掺有磷元素的Si集电区的掺杂浓度介于7×1015 cm-3到7×1017 cm-3之间且厚度介于0.5μm到0.7μm之间，掺有硼元素的Si0.8Ge0.2基区的掺杂浓度介于1×1015cm-3到1×1017 cm-3之间且厚度介于0.05μm到0.1μm之间，掺有磷元素的Si发射区的掺杂浓度介于2×1019 cm-3到2×1021 cm-3之间且厚度介于0.2μm到0.4μm之间；脊波导结构由Si次集电区、Si集电区、Si0.8Ge0.2基区和多晶Si发射区构成。
2.根据权利要求1所述一种硅基脊波导光电晶体管探测器，其特征在于：脊波导的宽度为2.5-3μm，长度≥20μm。
3.根据权利要求1所述一种硅基脊波导光电晶体管探测器，其中入射光由Si次集电区、Si集电区、Si0.8Ge0.2基区和多晶Si发射区构成的脊波导结构的端面侧向入射，沿着波导方向水平传输，与电子和空穴输运方向垂直。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
