[发明专利]一种用于改善薄膜层炸裂的方法及薄膜材料

权利要求书

1.一种用于改善薄膜层炸裂的方法，其特征在于，包括：

由薄膜晶圆的离子注入面向所述薄膜晶圆内注入离子，在与离子注入区对应的薄膜晶圆内形成薄膜层、分离层和余质层，其中，所述薄膜晶圆的离子注入面包括离子注入区和非离子注入区，所述非离子注入区将所述离子注入区包围，所述余质层包括与所述薄膜层对应的剩余薄膜晶圆，以及，与所述非离子注入区对应的剩余薄膜晶圆；

将所述薄膜晶圆的离子注入面与基底层键合面键合，得到第一键合体；

对所述第一键合体热处理，使与所述薄膜层对应的剩余薄膜晶圆从所述第一键合体上剥离，得到第二键合体；

将所述第二键合体中与所述非离子注入区对应的剩余薄膜晶圆，以及，所述薄膜层均研磨抛光至目标厚度，得到目标薄膜层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述由薄膜晶圆的离子注入面向所述薄膜晶圆内注入离子，在与离子注入区对应的薄膜晶圆内形成薄膜层、分离层和余质层，包括：

确定所述薄膜晶圆的离子注入面上的离子注入区和非离子注入区；

在所述薄膜晶圆的离子注入面上方设置遮挡装置，所述遮挡装置的遮挡面与所述非离子注入区相对应，用于阻挡离子被注入到非离子注入区；

由所述薄膜晶圆的离子注入面向所述薄膜晶圆内注入离子，离子被注入到与离子注入区对应的薄膜晶圆内，在与离子注入区对应的薄膜晶圆内形成薄膜层、分离层和余质层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述由薄膜晶圆的离子注入面向所述薄膜晶圆内注入离子，在与离子注入区对应的薄膜晶圆内形成薄膜层、分离层和余质层，包括：

确定所述薄膜晶圆的离子注入面上的离子注入区和非离子注入区；

在所述薄膜晶圆的离子注入面制备薄膜保护层，所述薄膜保护层覆盖于所述非离子注入区表面，用于阻挡离子被注入到非离子注入区；

由所述薄膜晶圆的离子注入面向所述薄膜晶圆内注入离子，离子被注入到与离子注入区对应的薄膜晶圆内，在与离子注入区对应的薄膜晶圆内形成薄膜层、分离层和余质层；

去除所述薄膜保护层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，如果用于制备所述薄膜保护层的材料为光刻胶，则在所述薄膜晶圆的离子注入面制备薄膜保护层，包括：

利用光刻方法，在所述薄膜晶圆的离子注入面制备薄膜保护层。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，如果用于制备所述薄膜保护层的材料为氧化硅、氮化硅、氧化铝、碳化硅或氮化铝，则在所述薄膜晶圆的离子注入面制备薄膜保护层，包括：

利用沉积方法，在薄膜晶圆的离子注入面制备保护层；

利用刻蚀或腐蚀方法，将覆盖于所述离子注入区上的保护层去除，得到薄膜保护层，所述薄膜保护层覆盖于所述非离子注入区表面。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，如果所述薄膜晶圆为硅晶体材料，用于制备所述薄膜保护层的材料为氧化硅，则利用热氧化方法，在薄膜晶圆的离子注入面制备保护层。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子注入区为所述薄膜晶圆的同心圆，所述非离子注入区的外径与内径差为2-7mm。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄膜层为铌酸锂、钽酸锂、石英、砷化镓、硅、磷酸钛氧钾或磷酸钛氧铷晶体材料。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底层键合面的材质与所述薄膜晶圆的材质不同。

10.一种薄膜材料，其特征在于，所述薄膜材料采用如权利要求1-9任一所述方法制备得到，所述薄膜材料包括目标薄膜层和基底层。