[发明专利]太阳能电池片、叠瓦组件和制造方法在审
申请号: | 202011120744.9 | 申请日: | 2020-10-19 |
公开(公告)号: | CN112117338A | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
发明(设计)人: | 尹丙伟;孙俊;倪孙洋;陈登运;李岩;石刚 | 申请(专利权)人: | 成都晔凡科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/043 | 分类号: | H01L31/043;H01L31/05;H01L31/18 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 刘迎春;张宁潇 |
地址: | 610041 四川省成都市高新区*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 组件 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池片,其特征在于,太阳能电池片包括基体片、设置在基体片的顶表面上的顶表面栅线、设置在基体片的底表面上的底表面栅线,其中,顶表面栅线和底表面栅线在基体片上的延伸方向被设定为使得当两个太阳能电池片以叠瓦方式相连时,这两个太阳能电池片中的第一太阳能电池片的底表面栅线和这两个太阳能电池片中的第二太阳能电池片的顶表面栅线交叉接触以实现电连接。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池片,其特征在于,顶表面栅线和底表面栅线在基体片上的延伸方向被设定为使得当两个太阳能电池片以叠瓦方式相连时,相互接触的第一太阳能电池片的底表面栅线和第二太阳能电池片的顶表面栅线之间具有5°-175°的夹角。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池片,其特征在于,
顶表面栅线包括顶表面副栅线和与顶表面副栅线之间交叉设置的顶表面主栅线,所述底表面栅线仅包括底表面副栅线,太阳能电池片被构造为使得当两个太阳能电池片以叠瓦方式相连时,相互接触的第一太阳能电池片的底表面副栅线和第二太阳能电池片的顶表面主栅线交叉接触以实现电连接;或者
顶表面栅线仅包括顶表面副栅线,所述底表面栅线包括底表面副栅线和与底表面副栅线交叉设置的底表面主栅线,太阳能电池片被构造为使得当两个太阳能电池片以叠瓦方式相连时,相互接触的第一太阳能电池片的底表面主栅线和第二太阳能电池片的顶表面副栅线交叉接触以实现电连接。
4.根据权利要求2所述的太阳能电池片,其特征在于,顶表面栅线包括顶表面副栅线和与顶表面副栅线交叉设置的顶表面主栅线,底表面栅线包括底表面副栅线和与底表面副栅线交叉设置的底表面主栅线,太阳能电池片被构造为使得当两个太阳能电池片以叠瓦方式相连时:相互接触的第一太阳能电池片的底表面主栅线和第二太阳能电池片的顶表面副栅线交叉接触以实现电连接,或者相互接触的第一太阳能电池片的底表面副栅线和第二太阳能电池片的顶表面主栅线交叉接触以实现电连接。
5.根据权利要求2所述的太阳能电池片,其特征在于,所述顶表面栅线包括顶表面副栅线和与顶表面副栅线交叉设置的顶表面主栅线,底表面栅线包括底表面副栅线和与底表面副栅线交叉设置的底表面主栅线,并且所述顶表面主栅线和所述底表面主栅线的延伸方向被设定为使得当两个太阳能电池片以叠瓦方式相连时相互接触的第一太阳能电池片的底表面主栅线和第二太阳能电池片的顶表面主栅线交叉接触以实现电连接。
6.根据权利要求2所述的太阳能电池片,其特征在于,所述太阳能电池片的顶表面和/或底表面上设置有副栅线和与副栅线交叉设置的主栅线,主栅线包括彼此平行的至少两条栅线结构,太阳能电池片被构造为当两个太阳能电池片以叠瓦方式相连时一个太阳能电池片的主栅线和另一个太阳能电池片的主栅线或副栅线交叉接触。
7.根据权利要求2所述的太阳能电池片,其特征在于,基体片具有第一纵向边缘、第二纵向边缘和两个横向边缘;
顶表面栅线包括顶表面主栅线,顶表面主栅线整体沿着或靠近基体片的第一纵向边缘设置在基体片的顶表面上,顶表面主栅线包括顶表面第一主栅线和顶表面第二主栅线,顶表面第一主栅线和顶表面第二主栅线均沿基体片的纵向方向延伸且其二者在基体片的横向方向上存在间隔;
底表面栅线包括底表面主栅线,底表面主栅线整体沿着或靠近基体片的第二纵向边缘设置在基体片的底表面上,
其中,顶表面主栅线和底表面主栅线被构造为使得当两个太阳能电池片以叠瓦方式相连时第一太阳能电池片的底表面主栅线能够同时接触第二太阳能电池片的顶表面第一主栅线和顶表面第二主栅线。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池片,其特征在于,底表面主栅线包括底表面第一主栅线和多个底表面第二主栅线,底表面第一主栅线沿基体片的纵向方向延伸;底表面第二主栅线为沿基体片的横向方向延伸的短条形结构,每一个底表面第二主栅线均与底表面第一主栅线相交。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的