[发明专利]一种含1T相的MoS2

权利要求书

1.一种含1T相的MoS₂薄膜制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

(1)对基体表面使用酒精进行超声清洗，并吹干；

(2)将清洗并吹干后的基体装夹在磁控溅射腔内，以Ar为工作气体，采用MoS₂靶和金属靶共溅射，沉积得到含1T相的MoS₂薄膜。

2.根据权利要求1所述的含1T相的MoS₂薄膜制备工艺，其特征在于，步骤(1)中基体为碳纤维布、碳纤维纸、泡沫镍、泡沫铜、蜡灰或硅片。

3.根据权利要求1所述的含1T相的MoS₂薄膜制备工艺，其特征在于，步骤(2)中工作气压为0.2～1Pa，公转速度为0.5～5r/min，温度为30℃，Ar流量20～40sccm。

4.根据权利要求1所述的含1T相的MoS₂薄膜制备工艺，其特征在于，步骤(2)中金属靶为纯度99.9％的铜、银、金或铝靶。

5.根据权利要求1所述的含1T相的MoS₂薄膜制备工艺，其特征在于，步骤(2)MoS₂采用射频电源，功率为50～300W，金属采用直流电源，功率为5～50W。

6.一种由权利要求1～5任一项所述的制备工艺制备得到的MoS₂薄膜。