[发明专利]集成电路器件及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路器件，包括：

鳍型有源区，从衬底突出，在与所述衬底的上表面平行的第一方向上延伸，并包括第一半导体材料；

隔离层，布置在所述衬底上并覆盖所述鳍型有源区的侧壁的下部，所述隔离层包括布置在所述鳍型有源区的侧壁的下部上的绝缘衬层以及所述绝缘衬层上的绝缘填充层；

覆盖层，围绕所述鳍型有源区的上表面和侧壁，包括与所述第一半导体材料不同的第二半导体材料，其中，所述覆盖层包括上表面、侧壁以及在所述上表面与所述侧壁之间的刻面表面；以及

栅极结构，布置在所述覆盖层上并在与所述衬底的上表面平行且与所述第一方向垂直的第二方向上延伸。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述刻面表面相对于所述衬底的上表面以第一角度倾斜，并且所述第一角度在约30°至约60°之间。

3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述鳍型有源区的上表面和所述鳍型有源区的侧壁包括弯曲表面。

4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述绝缘衬层的上表面接触所述覆盖层的底表面，并且

所述覆盖层的底表面与所述隔离层的上表面距所述衬底的上表面等距。

5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述覆盖层在所述鳍型有源区的上表面上具有第一厚度，其中，所述覆盖层在所述刻面表面的边缘处具有第二厚度，并且其中，所述第二厚度小于所述第一厚度。

6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述鳍型有源区包括硅锗，并且其中，所述覆盖层包括硅。

7.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述鳍型有源区包括表面区域和内部区域，所述表面区域距所述鳍型有源区的侧壁的距离小于第一距离，所述内部区域距所述鳍型有源区的侧壁的距离大于所述第一距离，并且

其中，所述表面区域具有第一锗含量，并且所述内部区域具有小于所述第一锗含量的第二锗含量。

8.根据权利要求7所述的集成电路器件，

其中，所述鳍型有源区的表面区域具有第一带隙能量，

其中，所述鳍型有源区的内部区域具有第二带隙能量，

其中，所述覆盖层具有第三带隙能量，并且

其中，所述第三带隙能量大于所述第二带隙能量，并且所述第二带隙能量大于所述第一带隙能量。

9.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：

界面层，布置在所述覆盖层与所述栅极结构之间，并且

所述界面层包括所述第二半导体材料，所述第二半导体材料包括第一浓度的氮。

10.一种集成电路器件，包括：

鳍型有源区，从衬底突出，在与所述衬底的上表面平行的第一方向上延伸，并包括第一半导体材料；

隔离层，布置在所述衬底上并覆盖所述鳍型有源区的侧壁的下部，所述隔离层包括布置在所述鳍型有源区的侧壁的下部上的绝缘衬层以及所述绝缘衬层上的绝缘填充层；

覆盖层，围绕所述鳍型有源区的上表面和侧壁，所述覆盖层包括与所述第一半导体材料不同的第二半导体材料，并且所述覆盖层包括上表面、侧壁以及在所述上表面与所述侧壁之间的刻面表面；以及

栅极结构，布置在所述覆盖层上并在与所述衬底的上表面平行且与所述第一方向垂直的第二方向上延伸，

其中，在所述鳍型有源区的侧壁上，所述覆盖层的底表面接触所述绝缘衬层的上表面。

11.根据权利要求10所述的集成电路器件，其中，所述鳍型有源区的侧壁的上部接触所述覆盖层，并且

所述鳍型有源区的侧壁的下部接触所述绝缘衬层。