[发明专利]电子器件和电子装置在审
申请号: | 202011122327.8 | 申请日: | 2020-10-20 |
公开(公告)号: | CN112019180A | 公开(公告)日: | 2020-12-01 |
发明(设计)人: | 王航 | 申请(专利权)人: | 南京齐芯半导体有限公司 |
主分类号: | H03H7/01 | 分类号: | H03H7/01;H03H7/38;H03H7/46;H01Q1/50 |
代理公司: | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人: | 孟潭 |
地址: | 210037 江苏省南京市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电子器件 电子 装置 | ||
1.一种电子器件,其特征在于,包括:
基底;
芯片结构,位于所述基底上;
至少一个巴伦结构,位于所述基底上且与所述芯片结构信号连接,所述至少一个巴伦结构中的每个巴伦结构包括至少两个谐振器;
封装结构,覆盖所述芯片结构和所述巴伦结构;
阻抗控制结构,配置为调节所述谐振器的有效长度以调整所述至少一个巴伦结构的阻抗比。
2.根据权利要求1所述的电子器件,其中,所述巴伦结构包括:
第一巴伦,包括第一不平衡端,所述第一巴伦配置为接收所述芯片结构生成的平衡信号转换为不平衡信号以输出至所述第一不平衡端;
第二巴伦,包括第二不平衡端,所述第二巴伦配置为将从所述第二不平衡端接收的不平衡信号转换为平衡信号以输出至所述芯片结构。
3.根据权利要求2所述的电子器件,其中,
所述第一巴伦包括至少一个所述谐振器,且所述第一巴伦中的所述谐振器包括第一子谐振器、第二子谐振器、第三子谐振器和第四子谐振器,所述第一子谐振器和所述第二子谐振器串联且与所述第一不平衡端电连接,所述第三子谐振器和所述第四子谐振器的一端分别与所述芯片结构电连接,所述第三子谐振器和所述第四子谐振器的另一端用于连接电源,所述第一子谐振器和第三子谐振器相对设置,所述第二子谐振器和第四子谐振器相对设置;以及
所述第二巴伦包括至少一个所述谐振器,且所述第二巴伦中的所述谐振器包括第五子谐振器、第六子谐振器、第七子谐振器和第八子谐振器,所述第五子谐振器和所述第六子谐振器串联且与所述第二不平衡端电连接,所述第七子谐振器和所述第八子谐振器的一端分别与所述芯片结构电连接,所述第七子谐振器和所述第八子谐振器的另一端分别接地,所述第五子谐振器和第七子谐振器相对设置,所述第六子谐振器和第八子谐振器相对设置。
4.根据权利要求3所述的电子器件,其中,
所述阻抗控制结构,配置为控制每个所述第一子谐振器、第二子谐振器、第三子谐振器、第四子谐振器、第五子谐振器、第六子谐振器、第七子谐振器和第八子谐振器的有效长度以调整所述第一巴伦和所述第二巴伦的阻抗比。
5.根据权利要求3所述的电子器件,其中,
所述第一子谐振器、第二子谐振器、第三子谐振器、第四子谐振器、第五子谐振器、第六子谐振器、第七子谐振器和第八子谐振器的每个设置为包括多个彼此串联的多个子电极;
所述阻抗控制结构包括多个分别对应于每个所述第一子谐振器、第二子谐振器、第三子谐振器、第四子谐振器、第五子谐振器、第六子谐振器、第七子谐振器和第八子谐振器的子阻抗控制结构,所述子阻抗控制结构包括与所述子电极对应的开关器件,
所述开关器件的控制端与所述芯片结构信号连接,所述开关器件配置为在打开的情况下短路对应的所述子电极。
6.根据权利要求5所述的电子器件,其中,
所述第一子谐振器、第二子谐振器、第三子谐振器、第四子谐振器、第五子谐振器、第六子谐振器、第七子谐振器和第八子谐振器设置为线圈结构,每个所述子电极为所述线圈结构中的至少一圈导线。
7.根据权利要求2-6中任一项所述的电子器件,还包括:
第一带通滤波器,与所述第一巴伦的所述第一不平衡端连接;以及
第二带通滤波器,与所述第二巴伦的所述第二不平衡端连接。
8.根据权利要求7所述的电子器件,其中,
所述第一带通滤波器和所述第二带通滤波器位于所述基底上,且所述封装层覆盖所述第一带通滤波器和所述第二带通滤波器。
9.根据权利要求8所述的电子器件,其中,
所述第一带通滤波器与所述第一巴伦重叠,且位于所述第一巴伦的背离所述基底的一侧;以及
所述第二带通滤波器与所述第二巴伦重叠,且位于所述第二巴伦的背离所述基底的一侧。
10.一种天线装置,其特征在于,包括电路板和权利要求1-9中任一项所述的电子器件,所述电路板包括天线结构和切换开关,其中,
所述电子器件可拆卸地安装在所述电路板上,且在所述电子器件安装在所述电路板上的情况下,所述天线结构通过所述切换开关与所述电子器件中的所述巴伦结构信号连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京齐芯半导体有限公司,未经南京齐芯半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011122327.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。