[发明专利]一种全彩硅基OLED显示器件和全彩硅基OLED显示方法

说明书

本发明公开了一种全彩硅基OLED显示器件和全彩硅基OLED显示方法，其中，所述全彩硅基OLED显示器件包括：从下至上依次叠加的基板、金属阳极、有机功能层、金属阴极、TFE封装层以及滤光片层；所述金属阳极包括：两种不同厚度的第一ITO阳极层和第二ITO阳极层；所述滤光片层包括：红色滤光片和蓝色滤光片，所述红色滤光片和所述蓝色滤光片分别涂覆在所述TFE封装层上与所述第一ITO阳极层所对应的发光区域。该显示器件克服现有技术中的全彩硅基OLED显示中，由于RGB三种颜色的光对应不同的厚度的光学微腔，使得单一光学厚度的顶发射结构的白光OLED容易出现颜色漂移现象的问题。

技术领域

本发明涉及全彩硅基OLED技术领域，具体地，涉及一种全彩硅基OLED显示器件和全彩硅基OLED显示方法。

背景技术

与传统的AMOLED显示技术相比，硅基OLED微显示以单晶硅芯片为基底并借助于成熟的CMOS工艺使其像素尺寸更小、集成度更高，可制作成媲美大屏显示的近眼显示产品而受到广泛关注。基于其技术优势和广阔的市场，在军事以及消费电子领域，硅基OLED微显示都将掀起近眼显示的新浪潮，为用户带来前所未有的视觉体验。

受限于金属掩膜版的制作技术，现有的高ppi硅基OLED全彩产品大多数采用WOLED(白光OLED)加CF(彩色滤光片)技术，为了实现彩色显示，WOLED的光谱通常要包含RGB 3个peak。由于RGB三种颜色的光对应不同的厚度的光学微腔，所以目前这种单一光学厚度的顶发射结构的WOLED容易出现颜色漂移的现象。

因此，提供一种可以有效地克服以上技术问题，达到窄化光谱，提高色域效果，而且还能提高白光器件效率，满足高亮产品需求的全彩硅基OLED显示器件和全彩硅基OLED显示方法是本发明亟需解决的问题。

发明内容

针对上述技术问题，本发明的目的是克服现有技术中的全彩硅基OLED显示中，由于RGB三种颜色的光对应不同的厚度的光学微腔，使得单一光学厚度的顶发射结构的白光OLED容易出现颜色漂移现象的问题，从而提供一种可以有效地克服以上技术问题，达到窄化光谱，提高色域效果，而且还能提高白光器件效率，满足高亮产品需求的全彩硅基OLED显示器件和全彩硅基OLED显示方法。

为了实现上述目的，本发明提供了一种全彩硅基OLED显示器件，所述全彩硅基OLED显示器件包括：从下至上依次叠加的基板、金属阳极、有机功能层、金属阴极、TFE封装层以及滤光片层；其中，

所述金属阳极包括：两种不同厚度的第一ITO阳极层和第二ITO阳极层；所述滤光片层包括：红色滤光片和蓝色滤光片，所述红色滤光片和所述蓝色滤光片分别涂覆在所述TFE封装层上与所述第一ITO阳极层所对应的发光区域。

优选地，所述有机功能层包括：从下到上依次排列的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；

所述发光层包括：红色发光单元、蓝色发光单元和绿色发光单元。

优选地，所述基板为单晶硅芯片。

本发明还提供了一种全彩硅基OLED显示方法，所述方法包括：

选用不同厚度的第一ITO阳极层和第二ITO阳极层；

将滤光片层涂覆在所述TFE封装层上与所述第一ITO阳极层所对应的发光区域内以获取RB(红光和蓝光)两基色。

优选地，所述方法还包括：

通过计算公式分别计算红色发光单元和蓝色发光单元所对应的OLED显示器件的有机层厚度d_RB和绿色发光单元所对应的OLED显示器件的有机层厚度d_G；

通过获取的两种OLED显示器件的有机层厚度推导出所述第一ITO阳极层的厚度和第二ITO阳极层的厚度关系；其中，