[发明专利]一种用于铜互连线的Al2 在审
申请号: | 202011122601.1 | 申请日: | 2020-10-19 |
公开(公告)号: | CN112242350A | 公开(公告)日: | 2021-01-19 |
发明(设计)人: | 孟瑜;宋忠孝;李龙;畅庚榕;王小艳 | 申请(专利权)人: | 西安文理学院;西安交通大学苏州研究院 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/02;H01L23/538 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 马贵香 |
地址: | 710065 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 互连 al base sub | ||
1.一种用于铜互连线的Al2O3/ZrN双层扩散阻挡层制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1)、对基片进行清洗除杂预处理;
步骤2)、在清洗除杂预处理后的基片表面制备一层Al2O3过渡层;
步骤3)、利用反应磁控溅射方法在Al2O3过渡层表面沉积一层ZrN阻挡层。
2.根据权利要求1所述的一种用于铜互连线的Al2O3/ZrN双层扩散阻挡层制备方法,其特征在于,具体的,将基片依次置于丙酮和乙醇中进行超声清洗,然后在HF溶液浸泡去除基片表面的氧化层。
3.根据权利要求2所述的一种用于铜互连线的Al2O3/ZrN双层扩散阻挡层制备方法,其特征在于,丙酮溶液浓度大于99.9%;乙醇溶液浓度大于99.9%。
4.根据权利要求1所述的一种用于铜互连线的Al2O3/ZrN双层扩散阻挡层制备方法,其特征在于,采用原子层沉积方法、磁控溅射法或化学气相沉积在基片表面制备形成Al2O3过渡层。
5.根据权利要求4所述的一种用于铜互连线的Al2O3/ZrN双层扩散阻挡层制备方法,其特征在于,采用原子层沉积方法时,采用三甲基铝和水为前驱体,沉积温度为240-260℃,沉积时间为300~1600s。
6.根据权利要求1所述的一种用于铜互连线的Al2O3/ZrN双层扩散阻挡层制备方法,其特征在于,在真空惰性气体氛围下制备沉积ZrN阻挡层。
7.根据权利要求6所述的一种用于铜互连线的Al2O3/ZrN双层扩散阻挡层制备方法,其特征在于,惰性气体采用Ne气或Ar气。
8.根据权利要求7所述的一种用于铜互连线的Al2O3/ZrN双层扩散阻挡层制备方法,其特征在于,采用N2,气体流量为20~30sccm,工作气压为0.5~1Pa。
9.一种由权利要求1所述方法制备的用于铜互连线的Al2O3/ZrN双层扩散阻挡层,其特征在于,包括基片以及沉积在基片上的Al2O3过渡层,Al2O3过渡层表面沉积有ZrN阻挡层。
10.根据权利要求9所述的用于铜互连线的Al2O3/ZrN双层扩散阻挡层,其特征在于,所述Al2O3过渡层的厚度为1-10nm,所述ZrN阻挡层的厚度为5-15nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造