[发明专利]一种高浪涌电流型SiC二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种高浪涌电流型SiC二极管，其特征在于：包括SiC衬底(1)，SiC衬底(1)表面设有深P-grid层(2)，深P-grid层(2)外部设有浅P+grid层(3)。

2.根据权利要求1所述的一种高浪涌电流型SiC二极管，其特征在于：所述浅P+grid层(3)位于深P-grid层(2)的两侧。

3.根据权利要求1所述的一种高浪涌电流型SiC二极管，其特征在于：所述浅P+grid层(3)的深度为0.05～0.3μm，深P-grid层(2)的深度为0.5～1.5μm。

4.根据权利要求1所述的一种高浪涌电流型SiC二极管，其特征在于：所述SiC衬底(1)的两端设有JTE区(4)，SiC衬底(1)的外部设有离子注入层(5)。

5.基于权利要求1-4中任一权利要求所述的一种高浪涌电流型SiC二极管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

①在SiC衬底的两端形成JTE区，得A品；

②在A品表面形成浅P+grid层，得B品；

③在B品的浅P+grid层外部沉积形成LP-SiO₂垫层，得C品；

④对C品的LP-SiO₂垫层进行刻蚀形成LP-SiO₂-Spacer层，得D品；

⑤对D品注入AL离子将部分浅P+grid层转化为深P-grid层，得成品。

6.根据权利要求5所述的一种高浪涌电流型SiC二极管的制造方法，其特征在于：所述步骤②中利用P+grid光罩对A品进行PE-SiO₂沉积、PE-SiO₂刻蚀和注入AL离子，使A品表面形成浅P+grid层，A品外部形成PE-SiO₂层；所述步骤②中AL离子的注入浓度为1E16/cm～1.8E16/cm。

7.根据权利要求5所述的一种高浪涌电流型SiC二极管的制造方法，其特征在于：所述步骤③中通过LPVCD沉积在B品的浅P+grid层外部形成LP-SiO₂垫层。

8.根据权利要求5所述的一种高浪涌电流型SiC二极管的制造方法，其特征在于：所述步骤④中LP-SiO₂-Spacer层位于位于浅P+grid层的两侧外部。

9.根据权利要求5所述的一种高浪涌电流型SiC二极管的制造方法，其特征在于：所述步骤④中对LP-SiO₂垫层通过干法刻蚀形成LP-SiO₂-Spacer层。

10.根据权利要求6所述的一种高浪涌电流型SiC二极管的制造方法，其特征在于：所述步骤⑤中对D品注入AL离子将两侧LP-SiO₂-Spacer层之间的浅P+grid层转化为深P-grid层，然后依次采用SBD光罩、Metal光罩进行刻蚀，消除D品外部的LP-SiO₂-Spacer层和PE-SiO₂层，得成品；所述步骤⑤中AL离子的注入浓度为5E15/cm～1E16/cm。