[发明专利]一种电源漏电保护电路、保护方法及电子设备在审

专利信息
申请号: 202011123604.7 申请日: 2020-10-20
公开(公告)号: CN112366671A 公开(公告)日: 2021-02-12
发明(设计)人: 王俊凱 申请(专利权)人: 苏州浪潮智能科技有限公司
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04
代理公司: 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 代理人: 王敏
地址: 215100 江苏省苏州市吴*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 电源 漏电 保护 电路 方法 电子设备
【说明书】:

发明公开了一种电源漏电保护电路、保护方法及电子设备,涉及电路设计技术领域。保护电路包括电压比较单元和漏电电压泄放单元;电压比较单元包括电压比较器,电压比较器的正极输入端接基准电压,负极输入端接待侦测电压;漏电电压泄放单元包括导通开关和阻抗电阻,导通开关为正电压开关管,导通开关的输入端与电压比较器的输出端连接,输出端与阻抗电阻连接,阻抗电阻的另一端接待侦测电压。本发明方案当电源不正常漏电时,电压比较器输出高电平使导通开关导通,待侦测电压通过阻抗路径进行泄放,从而使待侦测电压降低,有效保护电路系统,避免因电源漏电导致电路组件损坏。

技术领域

本发明实施例涉及电路设计技术领域,具体来说涉及一种电源漏电保护电路、保护方法及电子设备。

背景技术

电源是服务器重要的单元之一,服务器中所有的晶片、逻辑元件等都需要被提供电源。通常电源的产生先由外部的交流电通过电源供应器转换成直流电,然后通过板上的稳压器将大电压的直流电转换成晶片可使用的电压供其使用。有些晶片甚至需要多种电压,进而要求上电时序才能确保晶片正常运作。

目前,所有的硬件线路设计中,由于晶片工作功能的不同,需要提供不同的电源状态,因此上电顺序会存在不同,从而可能导致电源产生漏电的问题。如果电源漏电的电位过高,会造成许多电子元器件产生误动作,为了确保电路的安全和可靠性,需要将漏电电位降到最低。现有的电路设计中,解决漏电问题的方法通常是利用几个MOS管或BJT管进行隔绝,或者是将外部上拉电阻设计成与其IC同电源状态来避免电源漏电。其存在的不足之处在于,目前的设计方式对设计者来说需要考量的因素较多,如驱动电压、电源状态、合适的电阻值及电路的输出输入准位等,因此,在解决漏电问题的同时,很容易产生其他的设计问题。

发明内容

本发明实施例提供一种电源漏电保护电路、保护方法及电子设备,用于监控电路的电源状态,并当电源出现漏电时,提供阻抗路径进行漏电电压泄放,有效避免因电源漏电导致电路组件损坏的问题。

为实现上述目的,本发明公开了如下技术方案:

本发明一方面提供一种电源漏电保护电路,所述保护电路包括电压比较单元和漏电电压泄放单元;

电压比较单元包括电压比较器,电压比较器的正极输入端接基准电压,负极输入端接待侦测电压;

漏电电压泄放单元包括导通开关和阻抗电阻,导通开关的输入端与电压比较器的输出端连接,输出端与阻抗电阻连接,阻抗电阻的另一端接待侦测电压。

基于上述电路,进一步的,所述导通开关为正电压开关管,例如NMOS开关管或NPN开关管,电压比较器的输出端与NMOS开关管的栅极或NPN开关管的基极连接。

进一步的,若导通开关选为NMOS开关管时,NMOS开关管的漏极与阻抗电阻连接,其源极接地。当电源漏电时,待侦测电压超出基准电压,电压比较器输出高电平使NMOS管导通,进而使待侦测电压降低,达到改善漏电的效果。

如果导通开关选为NPN开关管时,NPN开关管的集电极与阻抗电阻连接,其发射极接地。当电源漏电时,待侦测电压超出基准电压,电压比较器输出高电平使NPN管导通,进而使待侦测电压降低,同样能够达到改善漏电的效果。

如上所述的电源漏电保护电路,所述阻抗电阻选择为低阻抗高耐流电阻,一方面,电阻的一端与待侦测电压连接形成一个低阻抗的路径,使电流只能通过此路径;另一方面,高耐流电阻可防止因过多的电流导通而造成电阻损坏,从而实现待侦测电压宣泄,避免因漏电导致电路组件损坏。

本发明另一方面提供一种电源漏电保护方法,所述保护方法包括以下步骤:

在电子器件的电压输入端设置电压比较器,将电压比较器的正极输入端接基准电压,负极输入端接待侦测输入电压;

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