[发明专利]一种利用绝缘边保护层来制备N型电池的方法

权利要求书

1.一种利用绝缘边保护层来制备N型电池的方法，包括以下的步骤：

（1）选择N型的单晶硅片，经过清洗制绒、硼扩散、去BSG；

（2）利用滚筒传输装置，将介电层膜均匀的涂抹在硅片的边缘，涂抹厚度为0.1~5mm；介电层的材质按质量百分比，由20%玻璃粉、35％乙基纤维素、45%松油醇混合得到；所述边缘为硅片侧边，不含底部；

其中，玻璃粉中包含80-100%质量的玻璃粉末和0-20%质量的陶瓷粉末，其中：玻璃粉末由下述组分组成，按质量百分比计算，3~25％BaO、25~60％ZnO、15~35％B₂O₃、3~30％SiO₂、0.2~6％Li₂O和0~1.5％Al₂O₃；陶瓷粉末是选自氧化铝、氧化锆、锆石、氧化钛、堇青石、莫来石、硅石、硅锌矿、氧化锡和氧化锌中的至少一种；

（3）利用扩散进行磷扩散前或LPCVD沉积多晶硅前，利用高温将介电层与硅片进行微烧结；微烧结的条件为：N₂：100~5000sccm，温度设定500~900℃，时间设定1~30min；

（4）脱胶，利用HF将绝缘的介电层及沉积在介电层上的磷一起进行剥离；

（5）RCA去PSG层或多晶硅层绕镀后、正面进行AlO_x、SiN_x钝化，背面进行SiN_x钝化；

（6）正面印刷银浆后进行烧结。

2.根据权利要求1所述利用绝缘边保护层来制备N型电池的方法，其特征在于：所述步骤（4）脱胶，利用HF将绝缘的介电层及沉积在介电层上的磷一起进行剥离，其中HF的浓度设定质量分数1%~15%，时间设定30s~600s。