[发明专利]mini-LED/micro-LED面光源及其制造方法

权利要求书

1.一种mini-LED/micro-LED面光源，其特征在于，包括：

面光源电路板，包括透光基板、形成在所述透光基板上的透明线路与控制电路，所述透明线路包括位于芯片阵列区内的焊盘阵列;

金属反射层，形成于所述焊盘阵列上，以形成辨识点;

LED芯片，基于所述辨识点使所述LED芯片能对准所述芯片阵列区并接合于所述金属反射层上;

位于所述芯片阵列区周边的DBR反射层，所述DBR反射层除了在所述芯片阵列区的开窗之外全面覆盖所述面光源电路板，作为所述面光源电路板的表面层，以覆盖所述透明线路;

所述控制电路以主动式扫描方式一对一控制所述LED芯片内的发光单元，以实现局部调光;所述控制电路隐藏式设置在所述芯片阵列区内并位于所述金属反射层下;

所述DBR反射层的形成图案是基于所述辨识点进行定位;

所述DBR反射层的形成图案与所述金属反射层形成的辨识点的图案互补形成。

2.根据权利要求1所述的mini-LED/micro-LED面光源，其特征在于，所述LED芯片覆盖所述金属反射层，所述面光源电路板具有99%以上的反射率。

3.根据权利要求1所述的mini-LED/micro-LED面光源，其特征在于，所述透明线路与所述控制电路采用MOCVD气相沉积或溅射方式形成;所述金属反射层是镍金层，所述透明线路是ITO/纳米银的导电层，所述控制电路包括TFT晶体管、Clc电容器与Cs电容，所述透光基板的材质采用蓝宝石（AL₂O₃）或LTPS玻璃。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的mini-LED/micro-LED面光源，其特征在于，所述透光基板在所述芯片阵列区之间的间隔形成开窗凹槽，所述DBR反射层填入所述开窗凹槽内。

5.一种mini-LED/micro-LED面光源的制造方法，其特征在于，用于制造如权利要求1-4中任一项所述的一种mini-LED/micro-LED面光源，在安装所述LED芯片时，利用覆晶或封装接合方式将所述LED芯片焊接至所述金属反射层。

6.一种显示屏装置，其特征在于，如权利要求1-4中任一项所述的一种mini-LED/micro-LED面光源，所述面光源电路板的尺寸对应于所述显示屏装置的显示区域。

7.一种mini-LED/micro-LED面光源的制造方法，其特征在于，包括：

制备面光源电路板,包括在透光基板上形成透明线路与控制电路，所述透明线路包括位于芯片阵列区内的焊盘阵列;

在所述焊盘阵列上形成金属反射层，以形成辨识点;所述控制电路以主动式扫描方式一对一控制LED芯片内的发光单元，以实现局部调光;所述控制电路隐藏式设置在所述芯片阵列区内并位于所述金属反射层下;

在形成所述金属反射层之后与安装所述LED芯片之前,在所述面光源电路板上形成位于所述芯片阵列区周边的DBR反射层，所述DBR反射层除了在所述芯片阵列区的开窗全面覆盖所述面光源电路板，作为所述面光源电路板的表面层，以覆盖所述透明线路;所述DBR反射层的形成图案是基于所述辨识点进行定位，所述DBR反射层的形成图案与所述金属反射层形成的辨识点的图案互补形成;

在所述面光源电路板上安装LED芯片,所述LED芯片基于所述辨识点使所述LED芯片能对准所述芯片阵列区并接合于所述金属反射层上。

8.根据权利要求7所述的mini-LED/micro-LED面光源的制造方法，其特征在于，还包括:所述LED芯片覆盖所述金属反射层，所述面光源电路板具有99%以上的反射率;

所述透明线路与所述控制电路采用MOCVD气相沉积或溅射方式形成;所述金属反射层是镍金层，所述透明线路是ITO/纳米银的导电层，所述控制电路包括TFT晶体管、Clc电容器与Cs电容，所述透光基板的材质采用蓝宝石（AL₂O₃）或LTPS玻璃。