[发明专利]具有共模抑制且结构紧凑的三模HMSIW平衡带通滤波器

权利要求书

1.一种具有共模抑制且结构紧凑的三模HMSIW平衡带通滤波器，其特征在于：包括三层介质基板、HMSIW谐振腔、微扰金属通孔阵列和差分馈电结构；

三层介质基板包括从上至下叠层设置的上层介质基板、中层介质基板和下层介质基板；

HMSIW谐振腔呈等腰直角三角形，包括上侧金属层、下侧金属层和L型金属通孔阵列；

上侧金属层印刷在上层介质基板和中层介质基板之间，下侧金属层印刷在中层介质基板和下层介质基板之间；L型金属通孔阵列蚀刻在中层介质基板上；

微扰金属通孔阵列包括蚀刻在中层介质基板上且位于HMSIW谐振腔内的半环形微扰金属通孔阵列，半环形微扰金属通孔阵列的圆心位于HMSIW谐振腔的斜边中心点处；

微扰金属通孔阵列还包括关于HMSIW谐振腔的对称轴线对称的两条带状微扰金属通孔阵列；两条带状微扰金属通孔阵列分别垂直于HMSIW谐振腔的两腰，且两条带状微扰金属通孔阵列的一端均与半环形微扰金属通孔阵列相连接；

差分馈电结构设置在HMSIW谐振腔的两条直角边上，用于向HMSIW谐振腔差分馈电。

2.根据权利要求1所述的具有共模抑制且结构紧凑的三模HMSIW平衡带通滤波器，其特征在于：两条带状微扰金属通孔阵列的长度为l₁=7.7mm，每条带状微扰金属通孔阵列与HMSIW谐振腔斜边之间的夹角均为θ=45°。

3.根据权利要求1所述的具有共模抑制且结构紧凑的三模HMSIW平衡带通滤波器，其特征在于：差分馈电结构包括两个上层馈电端口和两个下层馈电端口；

两个上层馈电端口设置在上层介质基板上，且关于HMSIW谐振腔的对称轴线对称；

两个下层馈电端口设置在下层介质基板上，且关于HMSIW谐振腔的对称轴线对称；

两个上层馈电端口和两个下层馈电端口形成为两组微带-探针馈电结构。

4.根据权利要求3所述的具有共模抑制且结构紧凑的三模HMSIW平衡带通滤波器，其特征在于：两组微带-探针馈电结构的两个探针位置关于HMSIW谐振腔的对称轴线对称，每个探针位置与HMSIW谐振腔两腰的距离分别为l₂=48.2mm，l₃=13.2mm。

5.根据权利要求3所述的具有共模抑制且结构紧凑的三模HMSIW平衡带通滤波器，其特征在于：三层介质基板均包括一块等腰直角三角形板和两块矩形板；两块矩形板垂直设置在等腰直角三角形板的两腰上，且关于等腰直角三角形板的对称轴线对称；差分馈电结构的馈电接入端均设置在两块矩形板上。

6.根据权利要求1所述的具有共模抑制且结构紧凑的三模HMSIW平衡带通滤波器，其特征在于：半环形微扰金属通孔阵列的半径r₁=8.2mm，HMSIW谐振腔的腰长l=62.4mm。

7.根据权利要求1所述的具有共模抑制且结构紧凑的三模HMSIW平衡带通滤波器，其特征在于：L型金属通孔阵列和微扰金属通孔阵列中金属通孔的直径d=0.8mm，孔间间距p=1.2mm。

8.根据权利要求1所述的具有共模抑制且结构紧凑的三模HMSIW平衡带通滤波器，其特征在于：中层介质基板的厚度小于λ_g/4，其中λ_g表示平衡带通滤波器的工作频率波长。

9.根据权利要求8所述的具有共模抑制且结构紧凑的三模HMSIW平衡带通滤波器，其特征在于：三层介质基板的型号均为Rogers RT/Duroid5880，相对介电常数为2.2，厚度为0.508mm，损耗角正切为0.0009。