[发明专利]一种EEPROM存储器编程精度校正电路及方法

说明书

本发明公开了一种EEPROM存储器编程精度校正电路及方法，包括：单多晶EEPROM子电路、复位子电路、操作指令控制子电路、信号输入子电路及电荷泵；复位子电路用于检测EEPROM存储器是否处于芯片测试模式下；在测试模式下时，复位子电路复位信号有效；复位子电路产生复位信号至单多晶EEPROM子电路、操作指令控制子电路、信号输入子电路及电荷泵，单多晶EEPROM子电路、操作指令控制子电路、信号输入子电路及电荷泵进入初始化状态，不作动作；没有复位信号到来，则在测试使能信号为高电平时，通过给操作指令控制子电路的CS片选端输入不同的方波个数产生操作控制指令。本发明通过管脚复用及单多晶EEPROM结合，对EEPROM存储器进行测试调修，成本低廉，同时能够灵活精确地调节基准源电压。

技术领域

本发明涉及存储器精度校正技术领域，尤其涉及一种EEPROM存储器编程精度校正电路及方法。

背景技术

电可擦除编程存储器(EEPROM)是当今应用广泛的记忆元件之一。由于它既能像RAM一样随时改写内容,又能像其它ROM一样能长期地保存信息,因此在微机、微控制电路以及金卡(IC卡)工程中得到了广泛应用。在集成电路设计和制造中,由于设计工艺和封装等原因,实际制造同理论上有一定的差距.随着集成电路集成度的提高,集成电路高精度要求日趋明显,精度校正是实现高精度集成电路的必要手段。

传统的EEPROM精度校正方法有电阻薄膜的激光修调、熔丝烧断修调、二极管短路修调等技术。但是激光修调成本高工艺复杂；熔丝烧断修调误差大、成品率低；二极管修调技术占用芯片面积较大且是单向修调。因此，发明可靠性高及修正精度高的一种EEPROM存储器编程精度校正电路成为该领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种EEPROM存储器编程精度校正电路。

第一方面，本发明公开了一种EEPROM存储器编程精度校正电路，包括单多晶EEPROM子电路、复位子电路、操作指令控制子电路、信号输入子电路及电荷泵；所述复位子电路分别与所述单多晶EEPROM子电路、所述操作指令控制子电路、所述信号输入子电路及所述电荷泵电连接；所述单多晶EEPROM子电路与所述信号输入子电路电连接，所述信号输入子电路与所述操作指令控制子电路电连接，所述操作指令控制子电路与所述电荷泵电连接，所述电荷泵与所述单多晶EEPROM子电路电连接；所述操作指令控制子电路与所述单多晶EEPROM子电路电连接；所述复位子电路用于检测EEPROM存储器是否处于芯片测试模式下；在测试模式下时，所述复位子电路复位信号有效；所述复位子电路产生复位信号至所述单多晶EEPROM子电路、所述操作指令控制子电路、所述信号输入子电路及所述电荷泵，所述单多晶EEPROM子电路、所述操作指令控制子电路、所述信号输入子电路及所述电荷泵进入初始化状态；不作动作；若没有复位信号到来，则在测试使能信号为高电平时，通过给操作指令控制子电路的CS片选端输入不同的方波个数产生操作控制指令。

优选地，所述操作指令控制子电路通过38译码电路产生不同的操作控制指令。

优选地，所述信号输入子电路通过一根数据线的管脚复用进行数据传输及时钟控制。

第二方面，本发明公开了一种一种EEPROM存储器编程精度校正方法，所述方法包括：

通过所述信号输入子电路判断电路是否处于测试模式；

若处于测试模式，则所述复位子电路产生复位信号至所述单多晶EEPROM子电路、所述操作指令控制子电路、所述信号输入子电路及所述电荷泵；

依据所述复位信号控制所述单多晶EEPROM子电路、所述操作指令控制子电路、所述信号输入子电路及所述电荷泵进入初始化状态；

若没有复位信号到来，则在测试使能信号为高电平时，通过给信号输入子电路的CS片选端输入不同的方波个数产生操作控制指令。