[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管

权利要求书

1.一种横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管，所述横向扩散金属氧化物半导体晶体管包括：

第一导电类型的衬底；

第二导电类型的埋入式阱区，所述埋入式阱区设置在所述衬底中，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；

所述第一导电类型的主体区，所述主体区设置在所述埋入式阱区上；

所述第二导电类型的漂移区，所述漂移区设置在所述主体区中；

所述第二导电类型的漏极注入物，所述漏极注入物设置在所述漂移区中；

所述第二导电类型的源极注入物，所述源极注入物设置在所述主体区中；

栅极结构，所述栅极结构设置在所述漂移区上，所述栅极结构包括：

场板，所述场板包括RESURF介电层；

栅极介电层；和

栅极电极，所述栅极电极设置在所述场板和所述栅极介电层上；以及

漏极触点，所述漏极触点延伸穿过所述场板并且限定与所述漏极注入物的欧姆触点。

2.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体晶体管，其中所述主体区包括：

埋入式主体区，所述埋入式主体区设置在所述埋入式阱区上；

表面主体区；和

连接主体区，所述连接主体区设置在所述埋入式主体区与所述表面主体区之间，

所述RESURF介电层包括：

第一热氧化物层，所述第一热氧化物层设置在所述漂移区和所述漏极注入物上；和

沉积氧化物层，所述沉积氧化物层设置在所述第一热氧化物层上，并且

所述栅极介电层包括第二热氧化物层。

3.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体晶体管，所述横向扩散金属氧化物半导体晶体管还包括：

所述第一导电类型的重主体注入物，所述重主体注入物设置在所述主体区中，所述重主体注入物邻近所述源极注入物；和

浅沟槽隔离电介质，所述浅沟槽隔离电介质设置在所述主体区中，所述浅沟槽隔离电介质邻近所述重主体注入物。

4.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体晶体管，所述横向扩散金属氧化物半导体晶体管还包括：

所述第一导电类型的重主体注入物，所述重主体注入物设置在所述主体区中，所述重主体注入物邻近所述源极注入物；和

源极触点，所述源极触点限定与所述源极注入物、所述主体区和所述重主体注入物的欧姆触点。

5.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体晶体管，其中：

所述RESURF介电层设置在所述横向扩散金属氧化物半导体晶体管的聚积区上；并且

所述RESURF介电层包括从所述RESURF介电层的上表面延伸至所述栅极介电层的倾斜部分。

6.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体晶体管，所述横向扩散金属氧化物半导体晶体管还包括所述第二导电类型的连接注入物，所述连接注入物设置在所述主体区中，

所述漏极注入物在所述横向扩散金属氧化物半导体晶体管的第一区段与所述横向扩散金属氧化物半导体晶体管的第二区段之间共享。