[发明专利]图像传感器和包括该图像传感器的电子装置在审
申请号: | 202011127956.X | 申请日: | 2020-10-20 |
公开(公告)号: | CN112701132A | 公开(公告)日: | 2021-04-23 |
发明(设计)人: | 尹鉐皓;卢淑英 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周祺 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 包括 电子 装置 | ||
1.一种图像传感器,包括:
传感器基板,包括各自被配置为感测光的第一光感测单元和第二光感测单元;
间隔层,所述间隔层是透明的并且设置在所述传感器基板上;以及
分色透镜阵列,与所述传感器基板相对地设置在所述间隔层上,
其中,所述分色透镜阵列包括:
第一区域,在竖直方向上与所述第一光感测单元相对设置,所述第一区域具有第一图案,以及
第二区域,在竖直方向上与所述第二光感测单元相对设置,所述第二区域具有与所述第一图案不同的第二图案,并且
其中,所述第一图案被配置为:从入射到所述分色透镜阵列上的入射光分离出第一波长的光,并将所述第一波长的光汇聚到所述第一光感测单元,并且所述第二图案被配置为:从所述入射光分离出与所述第一波长不同的第二波长的光,并将所述第二波长的光汇聚到所述第二光感测单元。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述间隔层的厚度对应于与要由所述分色透镜阵列分离的所述入射光的波段的中心波长相关的所述分色透镜阵列的焦距。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述间隔层的理论厚度是ht,相邻光感测单元之间的间距是p,所述间隔层的折射率是n,并且要由所述分色透镜阵列分离的所述入射光的波段的中心波长是λ0,所述间隔层的所述理论厚度满足:
以及
所述间隔层的实际厚度h满足ht-p≤h≤ht+p。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述第一图案和所述第二图案被配置为:使所述第一波长的光在刚穿过所述分色透镜阵列之后的位置处,在与所述第一光感测单元的中心相对应的位置处形成2Nπ的相位分布,并且在与所述第二光感测单元的中心相对应的位置处形成(2N-1)π的相位分布,其中,N是大于0的整数。
5.根据权利要求4所述的图像传感器,其中,所述第一图案和所述第二图案被配置为:使所述第二波长的光在刚穿过所述分色透镜阵列之后的位置处,在与所述第一光感测单元的中心相对应的位置处形成(2M-1)π的相位分布,并且在与所述第二光感测单元的中心相对应的位置处形成2Mπ的相位分布,其中,M是大于0的整数。
6.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述第一区域包括:具有第一折射率并形成所述第一图案的第一电介质,以及具有小于所述第一折射率的第二折射率并填充在所述第一电介质中的第二电介质,
其中,所述第一图案被形成为使所述第一电介质被包括在所述第一区域的任意竖直截面中。
7.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述第二区域包括:具有第一折射率并形成所述第二图案的第一电介质,以及具有小于所述第一折射率的第二折射率并填充在所述第一电介质中的第二电介质,
其中,所述第二图案被形成为使所述第一电介质被包括在所述第二区域的任意竖直截面中。
8.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述传感器基板还包括第三光感测单元和第四光感测单元,并且
其中,所述分色透镜阵列还包括:
第三区域,在竖直方向上与所述第三光感测单元相对设置,所述第三区域具有与所述第一图案和所述第二图案不同的第三图案,以及
第四区域,在竖直方向上与所述第四光感测单元相对设置,所述第四区域具有与所述第一图案、所述第二图案和所述第三图案不同的第四图案。
9.根据权利要求8所述的图像传感器,其中,所述第三区域被设置为邻近所述第一区域并且在所述第二区域的对角线方向,并且所述第四区域被设置为邻近所述第二区域并且在所述第一区域的对角线方向,并且
其中,所述第三图案被配置为:从所述入射光分离出与所述第一波长和所述第二波长不同的第三波长的光,并且将所述第三波长的光汇聚到所述第三光感测单元,并且所述第四图案被配置为:从所述入射光分离出所述第一波长的光,并且将所述第一波长的光汇聚到所述第四光感测单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的