[发明专利]TiO2 在审
申请号: | 202011129745.X | 申请日: | 2020-10-21 |
公开(公告)号: | CN112229879A | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 何邕;邝德琳;胡伟;郭学政;孙霞;伍志林;熊恋;周杨洋 | 申请(专利权)人: | 重庆大学 |
主分类号: | G01N27/12 | 分类号: | G01N27/12 |
代理公司: | 成都方圆聿联专利代理事务所(普通合伙) 51241 | 代理人: | 李鹏 |
地址: | 400044 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | tio base sub | ||
1.一种TiO2-Ti3C2Tx复合薄膜气体传感器,其特征在于,包括TiO2-Ti3C2Tx复合薄膜气体传感元件,所述TiO2-Ti3C2Tx复合薄膜气体传感元件包括具有氧化铝陶瓷基底层(1)的叉指电极(2)和TiO2-Ti3C2Tx敏感材料层(3),TiO2-Ti3C2Tx敏感材料涂覆在所述叉指电极(2)表面,所述的TiO2-Ti3C2Tx敏感材料层(3)通过在二维Ti3C2Tx纳米材料上原位生长TiO2纳米颗粒所制得的。
2.根据权利要求1所述的一种TiO2-Ti3C2Tx复合薄膜气体传感器,其特征在于,所述TiO2-Ti3C2Tx敏感材料层(3)的厚度为1-5μm。
3.根据权利要求1所述的一种TiO2-Ti3C2Tx复合薄膜气体传感器,其特征在于,所述的叉指电极(2)的叉指间隙宽度为200μm;所述叉指电极(2)的厚度为100-200nm,所述叉指电极(2)的插指对数为5对。
4.根据权利要求1到3任一项所述的TiO2-Ti3C2Tx复合薄膜气体传感器的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤一:采用一步水热法制备TiO2-Ti3C2Tx复合材料;
步骤二:采用滴注法构建化学电阻型的TiO2-Ti3C2Tx复合薄膜气体传感器。
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