[发明专利]一种基于Talbot像和COMS相机结构的位移传感器有效
| 申请号： | 202011129953.X | 申请日： | 2020-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN112082490B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 辛晨光;李孟委;亓杰;张瑞;金丽 | 申请（专利权）人： | 中北大学南通智能光机电研究院;中北大学 |
| 主分类号： | G01B11/02 | 分类号： | G01B11/02 |
| 代理公司： | 太原荣信德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14119 | 代理人： | 杨凯;连慧敏 |
| 地址： | 226000 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 talbot coms 相机 结构 位移 传感器 | ||
1.一种基于Talbot像和COMS相机结构的位移传感器，其特征在于：包括光源(1)、凸透镜(2)、光栅(3)、COMS相机(4)，所述光源(1)设置在凸透镜(2)的焦点处，所述光源(1)发出的散射光通过凸透镜(2)后成为平行光束，所述平行光束的光路方向上设置有光栅(3)，所述平行光束经光栅(3)发生衍射干涉，所述平行光束在光栅(3)后形成Talbot像，所述COMS相机(4)设置在任一级的Talbot像上；所述光源(1)在垂直于光栅(3)的方向上发生位移时，经凸透镜(2)后光束变为散射光，所述光栅(3)后的Talbot像周期随光源(1)位移发生变化，所述COMS相机(4)测得Talbot像的光强，从而实现位移测量。
2.根据权利要求1所述的一种基于Talbot像和COMS相机结构的位移传感器，其特征在于：所述光栅(3)的材料采用硅，所述光栅(3)的周期为800nm，所述光栅(3)的占空比为0.5，所述光栅(3)的刻划深度为765nm。
3.根据权利要求1所述的一种基于Talbot像和COMS相机结构的位移传感器，其特征在于：所述光源(1)的波长为635nm，所述光源(1)的功率为1.2mW。
4.根据权利要求1所述的一种基于Talbot像和COMS相机结构的位移传感器，其特征在于：所述凸透镜(2)的焦距为55μm。
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