[发明专利]显示面板及显示面板的制造方法在审
申请号: | 202011130013.2 | 申请日: | 2020-10-21 |
公开(公告)号: | CN112117321A | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
发明(设计)人: | 段培;马志丽 | 申请(专利权)人: | 维信诺科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 成都极刻智慧知识产权代理事务所(普通合伙) 51310 | 代理人: | 唐维虎 |
地址: | 215300 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 制造 方法 | ||
1.一种显示面板(100),其特征在于,所述显示面板(100)包括相邻设置的显示区(A1)和过渡区(A2),所述过渡区(A2)包括:
衬底(1);
位于所述衬底(1)上的中间层,所述中间层包括表面不平整的反射层,所述反射层的不平整表面位于所述反射层远离所述衬底(1)的一侧;
位于所述中间层远离所述衬底(1)一侧的隔离柱(3),所述隔离柱(3)具有缺口(34)。
2.根据权利要求1所述的显示面板(100),其特征在于,所述中间层包括:
至少一层金属层,以及
位于至少一层所述金属层与所述隔离柱(3)之间的绝缘层。
3.根据权利要求2所述的显示面板(100),其特征在于,至少一层所述金属层为多层时,包括:
位于所述衬底(1)一侧的第一金属层(M1);
位于所述第一金属层(M1)远离所述衬底(1)一侧的第一绝缘层(21);
位于所述第一绝缘层(21)远离所述衬底(1)一侧的第二金属层(M2);以及
位于所述第二金属层(M2)远离所述衬底(1)一侧的第三金属层(M3);
其中,所述第二金属层(M2)在所述衬底(1)上的正投影与所述第一金属层(M1)在所述衬底(1)上的正投影不重叠,所述第三金属层(M3)在所述衬底(1)上的正投影覆盖所述第二金属层(M2)和/或所述第一金属层(M1)在所述衬底(1)上的正投影,所述第三金属层(M3)远离所述衬底(1)一侧的表面凹凸不平以作为所述反射层;
优选的,所述第二金属层(M2)在所述衬底(1)上的正投影与所述第一金属层(M1)在所述衬底(1)上的正投影彼此之间的间距为0.7~1.2um;
优选的,所述隔离柱(3)和所述第三金属层(M3)之间还包括第三绝缘层。
4.根据权利要求2所述的显示面板(100),其特征在于,至少一层所述金属层为一层时,包括:
位于所述衬底(1)上的第一金属层(M1),以及
位于所述第一金属层(M1)和所述衬底(1)之间的多晶硅层(7);
其中,所述第一金属层(M1)远离所述衬底(1)一侧的表面凹凸不平以作为所述反射层;
优选的,位于所述第一金属层(M1)远离所述衬底(1)一侧的第一绝缘层(21);
位于所述第一绝缘层(21)远离所述第一金属层(M1)一侧的第二绝缘层(22);以及
位于所述多晶硅层(7)和所述第一金属层(M1)之间的第四绝缘层(24);
其中,所述第一绝缘层(21)在相邻两个隔离柱(3)之间断开,且所述第二绝缘层(22)在相邻两个隔离柱(3)之间断开。
5.根据权利要求2所述的显示面板(100),其特征在于,至少一层所述金属层为一层时,包括:
位于所述衬底(1)上的第二金属层(M2),以及
位于所述第二金属层(M2)和所述衬底(1)之间的多晶硅层(7);
其中,所述第二金属层(M2)远离所述衬底(1)一侧的表面凹凸不平以作为所述反射层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于维信诺科技股份有限公司,未经维信诺科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011130013.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有新型光学结构的LED车灯
- 下一篇:一种电磁夹管阀及洁牙装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的