[发明专利]一种具有P型插入层的LED芯片及制作方法有效
| 申请号： | 202011130690.4 | 申请日： | 2020-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN112259651B | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 万志;卓祥景;尧刚;程伟;林志伟 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李晓光 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 插入 led 芯片 制作方法 | ||
1.一种具有P型插入层的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括：
衬底；
依次设置在所述衬底一侧的多量子阱结构和P型电子阻挡层；
设置在所述多量子阱结构和所述P型电子阻挡层之间的P型插入层；
所述P型插入层包括：在第一方向上依次堆叠设置的Mg掺杂的AlxGa1-xN层、多生长周期的间断Mg掺杂的功能叠层和Mg掺杂的AlyGa1-yN层；所述功能叠层包括在所述第一方向上依次堆叠设置的AlaInbGa1-a-bN层和AlcIndGa1-c-dN层；所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述多量子阱结构；其中，所述多生长周期的间断Mg掺杂的功能叠层中，高In组分层掺杂Mg，低In组分层不掺杂Mg；
其中，x≥0.1，y≥0.1，x＞a，x＞c，a＞y，c＞y，a≠c，b≠d。
2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述AlxGa1-xN层的厚度为1nm-3nm。
3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述AlaInbGa1-a-bN层的厚度为1nm-2nm。
4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述AlcIndGa1-c-dN层的厚度为1nm-2nm。
5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述AlyGa1-yN层的厚度为1nm-3nm。
6.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，在所述第一方向上，多层所述AlaInbGa1-a-bN层和/或多层所述AlcIndGa1-c-dN层中Al组分和In组分固定不变。
7.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，在所述第一方向上，多层所述AlaInbGa1-a-bN层和/或多层所述AlcIndGa1-c-dN层中Al组分和In组分均渐变增加。
8.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，在所述第一方向上，多层所述AlaInbGa1-a-bN层和/或多层所述AlcIndGa1-c-dN层中Al组分和In组分均渐变减少。
9.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，在所述第一方向上，多层所述AlaInbGa1-a-bN层和/或多层所述AlcIndGa1-c-dN层中Al组分渐变增加，In组分均渐变减少；
或，
在所述第一方向上，多层所述AlaInbGa1-a-bN层和/或多层所述AlcIndGa1-c-dN层中Al组分渐变减少，In组分均渐变增加。
10.一种具有P型插入层的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底的一侧依次形成多量子阱结构和P型电子阻挡层；
在所述多量子阱结构和所述P型电子阻挡层之间形成P型插入层；
所述P型插入层包括：在第一方向上依次堆叠设置的Mg掺杂的AlxGa1-xN层、多生长周期的间断Mg掺杂的功能叠层和Mg掺杂的AlyGa1-yN层；所述功能叠层包括在所述第一方向上依次堆叠设置的AlaInbGa1-a-bN层和AlcIndGa1-c-dN层；所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述多量子阱结构；其中，所述多生长周期的间断Mg掺杂的功能叠层中，高In组分层掺杂Mg，低In组分层不掺杂Mg；
其中，x≥0.1，y≥0.1，x＞a，x＞c，a＞y，c＞y，a≠c，b≠d。
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