[发明专利]一种高密度聚偏氟乙烯基纳米点阵的制备方法及应用

权利要求书

1.一种高密度聚偏氟乙烯基纳米点阵的制备方法，其特征在于，将纳米孔二氧化硅模板叠放于P(VDF-TrFE)纳米薄膜上方，采用纳米压印技术，加压至0.4～0.8MPa后，升温至120～145℃，保压5～10min，然后冷却至室温进行脱模，即得高密度聚偏氟乙烯基纳米点阵。

2.根据权利要求1所述的一种高密度聚偏氟乙烯基纳米点阵的制备方法，其特征在于，所述纳米孔二氧化硅模板上层放置有聚二甲基硅氧烷垫。

3.根据权利要求1所述的一种高密度聚偏氟乙烯基纳米点阵的制备方法，其特征在于，所述纳米孔二氧化硅模板的周期为400nm，孔深60nm；所述高密度聚偏氟乙烯基纳米点阵的集成密度为4Gbit inch^-2。

4.根据权利要求1所述的一种高密度聚偏氟乙烯基纳米点阵的制备方法，其特征在于，所述P(VDF-TrFE)纳米薄膜中偏氟乙烯单体与三氟乙烯单体的摩尔比为50:50，55:45，70:30，75:25或80:20。

5.根据权利要求1所述的一种高密度聚偏氟乙烯基纳米点阵的制备方法，其特征在于，所述P(VDF-TrFE)纳米薄膜的厚度为45～50nm。

6.根据权利要求1所述的一种高密度聚偏氟乙烯基纳米点阵的制备方法，其特征在于，所述P(VDF-TrFE)纳米薄膜的制备方法为：将P(VDF-TrFE)粉体溶解于2-丁酮溶剂中得P(VDF-TrFE)溶液，然后吸取P(VDF-TrFE)溶液滴在N型导电硅片上，旋涂成膜，制得P(VDF-TrFE)纳米薄膜。

7.根据权利要求6所述的一种高密度聚偏氟乙烯基纳米点阵的制备方法，其特征在于，所述P(VDF-TrFE)溶液的浓度为8～15mg ml^-1；旋涂成膜的工艺条件为：旋涂速度为2500～3000r min^-1，旋涂时间为45～50s。

8.一种如权利要求1-7任一所述的制备方法制得的高密度聚偏氟乙烯基纳米点阵在信息存储领域中的应用，其特征在于，采用脉冲正电压对经过预极化处理的高密度聚偏氟乙烯基纳米点阵进行反向极化，以改变高密度聚偏氟乙烯基纳米点阵的相位信息，实现信息存储。

9.根据权利要求7所述的应用，其特征在于，脉冲正电压为±4～±10V，脉冲时间为1～1*10⁴ms；高密度聚偏氟乙烯基纳米点阵的预极化处理采用直流电压-10V；采用PFM探针读取信息；所述PFM探针的弹簧常数为2N m^-1，采用接触模式，共振频率为256kHz，交流电压为±3～5V。

10.一种如权利要求1-7任一所述的制备方法制得的高密度聚偏氟乙烯基纳米点阵在基于电场控制的柔性铁电存储器中的应用。