[发明专利]一种晶体温度参数校准曲线自动匹配的方法及装置

权利要求书

1.一种晶体温度参数校准曲线自动匹配的方法，其特征在于，所述方法包括：

S1、采集NB基带芯片的分压电阻电压；

S2、根据所述分压电阻电压，从预设ADC电压采样值与晶体温度参数校准曲线数据库中自动匹配与所述分压电阻电压对应的晶体温度参数校准曲线；其中，所述ADC预设电压采样值与晶体温度参数校准曲线数据库是反应NB基带芯片的ADC电压采样值和晶体温度参数校准曲线的对应关系。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采集NB基带芯片的分压电阻电压，包括：

S11、将NB基带芯片、分压电阻、晶体组成ADC电压采集电路，具体包括：将NB基带芯片的管脚VDDIO_1V8和管脚GPIO_ADC与所述分压电阻组成ADC分压电路，所述晶体连接至NB基带芯片的管脚BBPLLRFPLL；

S12、通过所述NB基带芯片的管脚GPIO_ADC读取所述分压电阻在管脚VDDIO_1V8上的电压，即完成采集NB基带芯片的分压电阻电压。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述分压电阻由电阻R1和R2构成，所述电阻R1和电阻R2取值比例与所述晶体型号相对应。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述ADC分压电路与电容C1并联。

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预设ADC电压采样值与晶体温度参数校准曲线数据库通过以下方法确定：

S21、采集晶体的至少两个温度和频偏之间的样本数据，确定所述晶体的温度与频偏之间的晶体温度参数校准曲线；

S22、在所述晶体组成的所述ADC电压采集电路中，通过NB基带芯片的管脚GPIO_ADC读取分压电阻在管脚VDDIO_1V8上的电压；

S23、根据所述晶体温度参数校准曲线以及所述NB基带芯片的管脚GPIO_ADC电压，得到所述晶体的NB基带芯片ADC电压采样值和晶体温度参数校准曲线的对应关系；

S24、更换另一个晶体，重复以上S21-S23步骤，形成多个晶体的NB基带芯片的ADC电压采样值和晶体温度参数校准曲线的对应关系，得到预设ADC电压采样值与晶体温度参数校准曲线数据库。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述采集晶体的至少两个温度和频偏之间的样本数据，确定所述晶体的温度与频偏之间的晶体温度参数校准曲线；包括：

采集晶体的至少两个温度和频偏之间的样本数据；

根据所述样本数据，采用以下FT校准多项式曲线进行拟合确定所述晶体的温度与频偏之间的晶体温度参数校准曲线：

F(t)＝A₀*(t-t₀)^3+A₁*(t-t₀)^2+A₂*(t-t₀)+A₃

式中，F(t)为温度在t和t₀和之间的频偏，系数A₀、A₁、A₂、A₃为多项式校准参数，t为实时采集温度值，t₀为晶体温度转折点的温度值。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述根据所述晶体温度参数校准曲线以及所述NB基带芯片的管脚GPIO_ADC电压，得到所述晶体的NB基带芯片ADC电压采样值和晶体温度参数校准曲线的对应关系，如下式所示：

式中，晶体型号以A为例进行说明，F(t)为温度在t和t₀和之间的频偏，系数A₀、A₁、A₂、A₃为多项式校准参数，t为实时采集温度值，t₀为晶体温度转折点的温度值。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括：根据NB基带芯片的NTC值，利用匹配的晶体温度参数校准曲线计算频偏。